2014年《材料科学基础》作业….doc

注意：习题按以下内容结构给出， 加深理解本课程的内容和结构。 绪论 第一篇 材料的原子结构 第一章 材料的原子结构第二篇 材料的晶体结构与缺陷第章 材料的结构第章 晶体结构缺陷【综合习题】 绪论 一、填空题 1、材料科学主要研究的核心问题是 和 的关系。 材料的结构是理解和控制性能的中心环节，结构的最微细水平是 ，第二个水平是 ，第三个水平是 。 第一篇 材料的原子结构 第一材料的原子结构 一、填空题 第二篇 材料的晶体结构与缺陷第章 材料的结构一、填空题 2、晶体与非晶体的最根本区别是 。、根据晶体的对称性，晶系有 大晶族， 大晶系， 种布拉菲Bravais点阵， 种点群， 种空间群。 、金属常见的晶格类型有 、 、 。 、fcc晶体的最密排方向为 ，最密排面为 ，最密排面的堆垛顺序为 …… 。 、fcc晶体的致密度为 ，配位数为 ，原子在（111）面上的原子配位数为 。 、bcc晶体的最密排方向为 ，最密排面为 ，致密度为 ，配位数为 。 、晶体的宏观对称要素有 、 、 。 、CsCl型结构属于，NaCl型结构属于，CaF2型结构属于MgO晶体具有 型结构，其对称型是 ，晶族是 晶系是 ，晶体的键型是 。 、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-， 它们的晶体结构类型 ， ， 。 , , , , , , , , 3、写出立方晶系中晶面族｛100｝、｛110｝、｛111｝包含的等价晶面。写出112晶向族包含的等价晶向。 4、（2-9）求 （1）晶面（121）和（10）的晶带轴指数；（10）晶带轴指数（2）晶向[]和[11]确定的晶面指数的晶面指数。Bravis点阵？ 6、Ni为面心立方结构，原子半径r=0.1243nm，求i的晶格常数和密度。为体心立方结构，晶格常数a=0.3147nm，求o的原子半径r 。 sCl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm0.181nm。试问在sCl内离子在100或111方向是否相接触？每单位晶胞内有几个离子？各离子的配位数是多少？ ρ和致密度？ MgO具有aCl型结构。g2+的离子半径为0.07nm，2-的离子半径为0.1nm。试求gO的密度ρ致密度。 ， ， ，，，，，第章 晶体结构缺陷 一、填空题 、按几何组态，晶体中的缺陷分为 、 、 和体缺陷。位错线与柏氏矢量垂直的位错为 ，位错线与柏氏矢量平行的位错称为 。 位错可以滑移和攀移， 位错可以滑移能进行交滑移的位错必然是 。、两平行同号螺位错间的作用力为 。 面心立方晶体的不全位错类型主要有 和 ，柏氏矢量分别为 ， 。只能发生攀移运动的位错是Shockley 不全位错 Franker不全位错该位错环处处为刃位错？（3）能否使该位错环处处为螺位错？在滑移面上有一位错环，柏氏矢量为b，位错环的方向和柏氏矢量的方向如图所示。（1）指出位错环各段的性质。（2）能否使该位错环处处为刃位错？（3）能否使该位错环处处为螺位错？（4）该位错环滑移出晶体后，晶体有怎样的滑动（大小和方向）？ 试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？ 第七章 晶态固体材料中的界面 1、表面能来源于 ；一般地，割断的键数 ，表面能越高。 表面割断的键数 ，表面能最低。因此，晶体的外表面一般为 。 2、根据晶粒取向差的大小，晶界分为 和 。 3、小角晶界分为 和 。倾转晶界由 位错构成，扭转晶界由 位错构成。 4、晶界迁移的驱动力是 。晶界移动的结果是小晶粒 ，大晶粒 。 5、根据两相界面上的原子排列，相界分为 ， 和 。 6、在晶粒内部形成第二相时，若第二相和基体之间的界面能大，则其形状一般为 ，若要减少弹性应变能，一般