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1．用途：
本设备为软轴提拉型单晶炉，是在惰性气体（氩气）环境中，用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化，用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18热场，投料量60Kg，可拉制6或8的单晶。（1201型炉，采用18”或20”热场，投料量最大120Kg,,可拉制6~10的单晶。）
2．设备的工作原理概述：
本设备采用软籽晶轴提升机构，显著降低了单晶炉的高度，因而在一般厂房中即可安装使用，便于装配维修和拉晶操作，同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。
本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。
炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出，便于机动取出晶体，拆除热场系统和清理炉内各部。
主炉室和副炉室之间，设有翻板阀，可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体，更换籽晶。
3. 主要技术数据： 9001型 1201型
3.1. 电源 3相380V±10%,50HZ 3相380V±10%,50HZ
3.2. 变压器容量： 200KVA 230 KVA
3.3. 加热器最大加热功率： 150KVA 150 KVA
3.4. 加热器最高加热电压： 65V 65V
3.5. 最高加热温度： 1500℃ 1500℃
3.6. 冷炉极限真空度： 3Pa 3Pa
3.7. 晶体直径： φ6/φ8 φ6～φ10
3.8. 熔料量： 90Kg 120Kg
3.9. 主炉室尺寸： φ850×1220mm φ900×1200mm
3.10.旋阀通径： φ260mm φ300mm
3.11.副炉室尺寸： φ260×2270mm φ300×2300mm
3.12.籽晶拉速范围： 0～8mm/min 0～8mm/min
3.13.籽晶快速： ≥400mm/min ≥400mm/min
3.14.籽晶转速范围： 0～48R/min 0～48R/min
3.15.坩埚升速范围： 0～2mm/min 0～2mm/min
3.16.坩埚快速： ≥100mm/min ≥100mm/min
3.17.坩埚转速范围： 0～20R/min 0～20R/min
3.18.籽晶提升有效行程： 2900mm 3000mm
3.19.坩埚升降有效行程： 400mm 400mm
3.20.主机占地面积： 2500mmX1500mm 2000mmX1500mm
3.22.主机最大高度： 6300mm 6500mm
4. 设备的安装与要求
4.1.设备安装环境
本设备应在清洁、减震的工作环境中运行，应放置在专用的混凝土基础上，环境条件应选在恒温、恒湿车间。也可在能与空气中粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境中工作，地面应尽量平整，并且有自然排水管孔，使回水能自然排放。
突然的外界较强烈的冲击振动，有可能影响晶体的内在质量。因此，厂房应尽量选择在避开振源的地方。当条件限制而不能避开时，则要做必要的隔振措施。其具体
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