第04章放大电路的频率响应分析报告.pptVIP

4.1.2 频率特性的分析方法 一般采用分频段分析法 中频段 计算 Av、Ri、Ro 高频段 计算 fH 低频段 计算 fL 应用举例 应用举例 应用举例 应用举例 应用举例 应用举例 4.2 晶体管结电容对放大电路高频特性的影响 4.2.1 双极型晶体管的高频小信号模型 4.2.1 双极型晶体管的高频小信号模型 4.2.1 双极型晶体管的高频小信号模型 4.2.2 MOS场效应晶体管的高频小信号模型 4.2.2 MOS场效应晶体管的高频小信号模型 应用举例 应用举例 * 书82页 * 可删除 * 分析当于Rs=0时的上限截止频率 * 集电结电容等效到输出回路，输入回路仅有发射结电容的作用；与共射电路不同。 发射结的电容远高于集电结的电容，集电结的电容可以忽略。 当频率不是太高时，发射结的容抗远大于re，可以忽略发射结电容。 因此，电路的高频特性好。 * 集电结电容等效到输出回路，输入回路仅有发射结电容的作用；与共射电路不同。 发射结的电容远高于集电结的电容，集电结的电容可以忽略。 当频率不是太高时，发射结的容抗远大于re，可以忽略发射结电容。 因此，电路的高频特性好。 * (1) 1000 (2) 180 (3) 存在主极点，1000 (4) 可能自激，附加相移达到180度时，Av的模值约20dB0，满足自激条件。 * 三个极点：1000Hz，两个10000Hz 在w=0处有两个零点，在103rad/S处有两个极点，在106rad/S处有一个极点，在107rad/S处有两个极点。 计算机仿真 rbb对上限截止频率的影响 计算机仿真 RL对上限截止频率的影响 二、单管共射放大电路的高频特性 选择rbb’小、Cb’c小、fT高的晶体管。 减小信号源内阻RS，使信号源呈电压源的形式。 减小负载电阻及管的直流工作点电流，以使Cb’c的密勒电容随之减小，但这也会导致电路的中频增益的减小。 综合上述分析，单管共射电路的高频特性主要取决于输入回路。为提高电压增益的上限截止频率，应减小输入回路的时间常数，采用如下措施： 三、增益带宽积 (GBW) 放大电路的中频电压增益与带宽的乘积。 当晶体管的参数（rbb’、Cb’c、fT）和信号源内阻 RS 确定后，增益带宽乘积基本为一常数，随gm、RL改变而变化的程度很小。 总结：上限截止频率的求法 (1) 画出小信号高频等效电路。 (2) 利用密勒定理将跨接在输入和输出回路间的阻抗Z 分别等效到输入、输出回路中。 (3) 利用RC时间常数法分别求输入、输出回路的截止频率。 (4) 求整个电路的截止频率 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 受密勒效应的影响，共射电路的带宽较窄。若要提高带宽，就必须设法减小或者消除密勒效应。 单管共射电路的高频等效电路 共基电路和共集电路在结构上满足上述要求，因而具有非常高的带宽，在高频放大电路中经常使用。 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 共基放大电路的高频等效电路的推导 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 共基放大电路高频特性的定性分析 输入回路： 不存在Cbc的密勒电容 由于re较小，使得等效电阻Rs的阻值较小 输入回路时间常数?I 远小于共射组态电路 输出回路： 等效电容为Cbc 因此，电路的高频特性好。 应用举例 例：单管共基放大电路的交流通路如图所示，RC=2k ? ，RL=2.5k ? ，RS=1k ? 。晶体管T(硅管)参数为：rbb’=100 ? ， ?0 =80，VA=100V，fT=300 MHz，Cb’c=4 pF，直流工作点(ICQ=1 mA, VCEQ=3V) 。试分析电路的源电压增益函数和上截止频率fH。 应用举例 解: 电路的源电压增益 输入回路中电阻、电容值均较小，使得 fHi 甚至高于 fT (fT=300 MHz)，电路的高频特性主要受输出回路制约，上限截止频率 fH ? fHo = 36.172 MHz。 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 共集放大电路的高频等效电路的推导 交流通路 共集放大电路 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 共集放大电路的高频等效电路的推导 微变等效电路 交流通路 偏置电阻RB的数值远大于信号源内阻Rs，分析时可以忽略。 4.3.2 单管共基和共集放大电路的高频特性 微变等效电路 密勒等效电容 共集放大电路高频特性的定性分析 输入回路中的密勒等效电容很小，电路的上限截止频率较高。若Rs和rbb?足够小，负载电阻R?L足够大，则 fH ? ? . 应用举例 例：单管共集放大电路如图所示，RE=3k