ATMELAT91SAM7S256分析.docVIP

芯片基本功能模块分析 ? 集成了ARM7TDMI? ARM? Thumb? 处理器 – 高性能的32 位RISC架构 – 高密度的16 位指令集 – 性能/功耗(MIPS/Watt) 的领先者 – 嵌入式ICE电路仿真，支持调试通讯 分析：可以由FOUNDRY厂家license ARM7来解决，属于普通的ARM7内核 ? 64K 字节的片内高速Flash存储器，共512 页，每页128 字节 – 在最坏的条件下可以30 MHz 的速度进行单时钟周期访问, 预取(Prefetch) 缓冲器可以实现Thumb指令的优化，使处理器以最快的速度执行指令 – 页编程时间为4 ms，包括页自动擦除，全片擦除时间为10 ms – 10,000 次的写寿命， 10 年数据保持能力，扇区锁定功能，Flash 安全锁定位 – 适合量产的快速Flash编程接口 分析：高速Flash也是由工艺厂家提供解决，但要分析性能与参数是否满足要求 非易失性掉电检测控制掉电检测(BOD) 由两个通用的NVM (GPNVM)位控制。因此即使没有了电源，掉电检测 仍然可以保持用户的定义。 两个GPNVM 位的清除和设置分别通过EFC 用户接口的“ 清除通用NVM 位” 命令和 “ 设置通用NVM 位” 命令来实现。 GPNVM 位0用于控制掉电检测的使能。设置GPNVM0 将使能BOD，清除它即禁止BOD。拉高ERASE 将清除GPNVM0，从而禁止BOD。 GPNVM 位1控制掉电检测信号是否可以用于系统复位。置位GPNVM1使能这个功 能，清零GPNVM1 则禁止掉电检测信号复位整个芯片。拉高ERASE 将禁止掉电检 测复位。 8个NVM位用于标定掉电检测器及电压调节器。 ? 16K 字节的片内高速SRAM，可以在最高时钟速度下进行单时钟周期访问操作 分析：由厂家提供解决，但控制器需要前端设计解决 ? 存储器控制器(MC) – 嵌入式Flash控制器，异常中断(Abort)状态及未对齐(Misalignment) 检测 分析：还需要分析这个MC详细的功能包括哪些？ ? 复位控制器 (RSTC) – 上电复位和经过工厂标定的掉电检测 – 提供复位源信息以及给外部电路使用的复位信号 分析：需要详细分析功能，尤其掉电检测机制 ? 时钟发生器(CKGR) – 低供耗RC 振荡器，3 到20MHz 的片上振荡器和一个PLL 分析：RC振荡器应该由厂家解决，PLL应该可以免费得到 ? 电源管理控制器(PMC) – 可以通过软件进行电源优化，包括慢速时钟模式( 低至500 Hz)和空闲(Idle)模式 – 三个可编程的外部时钟信号 分析：类似SOC时钟模块，提供一些可编程控制，时钟切换，需要前端设计实现 ? 先进的中断控制器(AIC) – 可以单独屏蔽的、具有8 个优先级的向量式中断源 – 两个外部中断源和一个快速中断源，可以防止虚假(spurious)中断 分析：需要分析功能，要看看网上是否由可用的免费模块 ? 调试单元(DBGU) – 2线UART，支持调试通讯通道中断;可通过程序来禁止通过ICE进行访问 分析：仅仅是uart？ ? 周期性间隔定时器(PIT) – 20位可编程的计数器，加上12 位的间隔计数器 分析：类似timer，但12bit的间隔计数器要分析 ? 时间窗看门狗(WDT) – 12位受预设值（key）保护的可编程计数器 – 为系统提供复位或中断信号 – 当处理器处于调试状态或空闲模式时可以停止计数器 分析：WD，好实现 ? 实时定时器(RTT) – 32位自由运行的具有报警功能的计数器 – 时钟来源于片内RC 振荡器 分析：类似RTC，但不完全时，更像timer，但区别于PIT，前端好实现。 ? 一个并行输入/输出控制器(PIOA) – 32个可编程的复用I/O，每个I/O最多可以支持两个外设功能 – 输入电平改变时，每个I/O都可以产生中断 – 可以独立编程为开漏输出、使能上拉电阻以及同步输出 分析：类似GPIO模块，但要结合PAD实现上拉等功能 ? 11 个外设数据控制器(PDC) 通道 外设数据控制器(PDC) 在诸如UART、USART、SSC、SPI、MCI 等片上外设与片内或片外 存储器间传输数据。使用外设数据控制器避免处理器干涉并减去了处理器中断处理开销。这显著减少了数据传输所需时钟周期数并提高了微控制器性能，使其更加高效。 PDC 通道是成对的，每对对应一个指定的外设。其中一条通道负责接收数据，另一条通道负责发送数据。 PDC 通道的用户接口集成在每个外设的存储器空间中，它包括： ? 32位存储器指针寄存器 ? 16位传输计数寄存器 ? 32位下一存储器指针寄存器 ? 16位下一传输计数寄存器 外设通过发送与接收信号触发PDC 传输。当