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2016-01-06 发布于贵州
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2.4绝缘栅双极晶体管

第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）重点：1.IGBT的特性 2.IGBT的驱动电路第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）集MOSFET和GTR的优点于一身，兼具功率MOSFET管高速开关特性和GTR管的低导通压降特性两者优点的一种复合器件,是当今发展最快而且很有前途的一种混合型器件。第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了 GTR和一部分MOSFET的市场。第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）一.IGBT的特性 IGBT有三个电极: 集电极（漏极）Ｃ、发射极（源极）Ｅ和栅极Ｇ;电气符号如图2.4.1所示。简化等效电路如图2.4.2 第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.3 绝缘栅双极晶体管（IGBT）二.IGBT的驱动电路 IGBT的输入特性和MOSFET管的特性相同，因而MOSFET管的驱动电路也适应于IGBT管的驱动电路。由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路完全隔离，电路中隔离方式也分光隔离和磁隔离。（1）IGBT 分立元件的驱动电路分立元件即单个元件。第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.3 绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT 集成模块的驱动电路 ----EXB840/841系列集成驱动模块 EXB840 为混合集成电路，能驱动高达150A、 600V的IGBT和高达75A、1200V的IGBT管。由于驱动电路的信号延迟时间小于1.5μs，所以此混合集成电路适用于大约 40kHz的开关操作。它仅需 20V 电源供电，内置光耦合器，高绝缘耐压，内置过电流保护电路，附带过电流检测输出端子。右图为外形图。第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.3 绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT集成模块的驱动电路--EXB840/841系列集成驱动模块 EXB840芯片各引脚功能如表：第 2 章常用电力电子器件介绍及选择 2.3 绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT集成模块的驱动电路--EXB840/841系列集成驱动模块 * 图2.4.1 图2.4.2 IGBT是全控型器件，属场控器件，其驱动原理与功率MOSFET管基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。图2.4.3外形图驱动信号输入（+） ⒂ 驱动信号输入（-） ⒁ 不接，空脚 ⑩ ⑾ 电源地（ov） ⑨ 不接，空脚 ⑦ ⑧ 集电极电压监视端 ⑥ 过流保护输出端 ⑤ 用于连接外部电容，以防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容。） ④ 输出驱动信号 ③ 驱动模块工作电源（+20V） ② 连接用于反向偏置电源的滤波电容 ① 功能端子编号图2.4.4 EXB840内部结构图图2.4.5 用EXB840驱动IGBT的电路图 * *