元器件识别与采购项目教程 宋 凌 项目二新.pptVIP

［任务实施］ (1)场效应晶体管的结构图　场效应晶体管与晶体管虽然都是由PN结构成，但是结构还是不同，场效应晶体管的内部结构如图2-19所示。 图2-19　场效应晶体管的内部结构 ［任务实施］ (2)场效应晶体管的电路符号　场效应晶体管的电路符号见表2-6。(3)场效应晶体管的管脚排列　场效应晶体管的管脚排列如图2-20所示。(4)场效应晶体管的分类　场效应晶体管的分类也不同于晶体管。 表2-6　场效应晶体管的电路符号 ［任务实施］ 图2-20　场效应晶体管的管脚排列 ［任务实施］ 表2-7　场效应晶体管的分类 (5)场效应晶体管与晶体管的区别　场效应晶体管虽然在电路中能达到和晶体管一样的功能，但是它们的区别依然很大，具体区别见表2-8。 ［任务实施］ 表2-8　场效应晶体管与晶体管的区别 2.场效应晶体管的检测(1)场效应晶体管极性及类型的测量步骤1) 先用万用表的欧姆档测场效应晶体管的任意两个管脚，如图2-21a、b所示。 ［任务实施］ 2) 按图2-21a测得有大概几百欧姆或者几千欧姆的数值时，将万用表红黑表笔对调，如图2-21b所示。3) 如果对调表笔后测得的数值与对调表笔前测得的数值相接近(即图2-21a与图中的数值相接近)，说明表笔所夹的两个管脚分别为场效应晶体管的漏极(D)和源极(S)。4) 剩下的管脚即为栅极(到此可以判定出栅极)。5) 将G极接红表笔，黑表笔分别依次接另外两个极，如图2-21c、d所示。6) 两次测得的电阻均超过10MΩ，所以PN结应该是反偏接法，推出此场效应晶体管是P沟道(到此可以判定出场效应晶体管的类型)。 ［任务实施］ 图2-21　场效应晶体管的管脚测量 (2)场效应晶体管放大系数的测量方法 ［任务实施］ 1) 最后需要测量场效应晶体管的放大系数(跨导)，如图2-22a所示。2) 将判断好管脚的场效应晶体管插入晶体管档的插孔内，G极插入B极中，P沟道对应PNP，漏极、源极可以随意，测得该场效应晶体管的跨导(放大系数)是179，如图所示。 图2-22　场效应晶体管的跨导的测量 ［任务实施］ 3.场效应晶体管的参数(1)跨导gm　跨导表明了场效应晶体管栅－源电压对漏极电流的控制能力，也是衡量场效应晶体管放大能力的指标，类似于晶体管的β，单位是S(西门子)。(2)开启电压UT　当UGS达到一定值时，漏极到源极之间会有一个电流ID流过，称为漏极电流，此时的UGS的值记为UT，即开启电压，类似于晶体管的门槛电压。(3)夹断电压UP　当UGS达到一定值时，漏极到源极之间的漏极电流ID几乎为零，此时的UGS的值记为UP，即夹断电压，当UGS＝UP时，漏极电流为零。(4)饱和漏极电流IDDS　饱和漏极电流IDDS是在UGS＝0的条件下，场效应晶体管发生预夹断时的漏极电流。 ［任务实施］ (5)直流输入电阻RGS　RGS指的是栅、源极之间的等效电阻，结型场效应晶体管的RGS大于107Ω，而MOS场效应晶体管的RGS可高达109Ω～1015Ω。(6)最大漏极功耗PD　等于漏、源两极的电压与漏极电流的乘积：PD＝UDS×ID，类似于晶体管的集电极耗散功率PCM。1)根据表2-1，分组检测型号为3DJ2D的场效应晶体管的栅极、漏极和源极。2)用万用表测出该型号场效应晶体管的跨导并记录。1)场效应晶体管的漏极和源极为何在一定场合下可以对调？2)场效应晶体管的存放是否有何特殊要求，为什么要有这些要求？二、晶闸管的识别与检测 ［任务实施］ 1.认识晶闸管(1)晶闸管及其外形　晶闸管(Thyristor)也称为晶体闸流管，又称为可控硅整流器，是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号“V”表示。(2)晶闸管的结构　晶闸管的结构与晶体管相似，但比晶体管更加复杂。(3)晶闸管的电路符号及等效电路　单向晶闸管的电路符号及等效电路如图2-25a、b所示，双向晶闸管的电路符号及等效电路如图2-25c、d所示。 ［任务实施］ 图2-23　部分晶闸管的外形 ［任务实施］ 图2-24　单向晶闸管的内部结构及等效图 ［任务实施］ 图2-25　晶闸管的电路符号及等效电路 (4)晶闸管的分类　晶闸管按照不同的标准可以进行多种不同方式 ［任务实施］ 的分类，见表2-9。 表2-9　晶闸管的分类 2.晶闸管的检测(1)单向晶闸管的测量1) 将万用表调到二极管档。2) 若红表笔固定接一个管脚，黑表笔接第二个管脚的时候，显示溢出“OL”，如图a所示；将黑表笔接第三个管脚，万用表显示0.6～0.8V，如图2-26b所示。 ［任务实施］ 3) 对调接第一个管脚的红表笔和接第三个管脚的黑表笔，万用表显示为溢出“OL”，如图2-26c所示。4) 符合以上两点，说明所测的晶闸管为单向晶闸管，红表笔接的