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第六章 晶体管放大电路 一、基本结构及分类 1.基本结构——三个导电区域和两PN结 2.分类——NPN型和PNP型两种类型 二、三极管的电流放大作用 实验电路如图6-3 改变基极可变电阻RB,则基极 电流IB,集电极电流IC,发射极 电流IE都跟着发生变化 由实验数据可得如下结论: (1) (2) ( ) ; ( ) β——三极管的电流放大倍数 三、三极管的特性曲线 测绘三极管特性曲线的电路 如图6-4 1.输入特性曲线 2.输出特性曲线 IB取不同值时,分别 描绘曲线就得到一族 曲线 输出特性曲线分三个工作区 (1)放大区:IC=βIB,IC与UCE基本无关,只受IB的 控制,呈恒流特性。此时,发射结处于正向偏置,集 电结处于反向偏置。 (2)截止区:IB =0, IC ≈0, UCE =EC,三极管集电 极和发射极之间如同处于断开状态,呈高电阻特性。 此时,发射结零偏或反偏,集电结反偏。 (3)饱和区:即使IB增加很多, IC 的变化量也很小,不满足 IC=βIB 的关系,三极管如同处于短接状 态,呈低电阻特性。此时,集电结 和发射结都处于正向偏置 。 四、三极管主要参数 1.电流放大倍数 2.集—基反向漏电流ICBO (1)集—基反向漏电流ICBO (2)集—射反向漏电流ICEO 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM (2)最大反向击穿电压 (3)集电极最大允许功率损耗PCM 小结: 作业: * 第一节 晶体三极管及其放大作用 图6-2 晶体三极管的结构示意图及图形符号 在线教务辅导网: 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址: 图6-3 晶体管电流放大的实验电路 图6-4 测量晶体管特性的实验电路 a) b) 图6-5 三极管特性曲线 a)晶体管的输入特性 b)晶体管的输出特性曲线 图6-7 三极管极限损耗线 *
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