二氧化锡基导电料制备技术研究.pdfVIP

三墨些塑茎量皇堡整!!鱼垫查堑塞 圭塞查兰堡主兰堡兰!!L 摘 要 本文采用共沉淀法制备了系列二氧化锡基导电粉体，通过多种手段对粉体进 行表征，研究了制备工艺对粉体电阻率等性能的影响。 行了表征，并采用自制装置测量了粉体电阻率。仔细研究了煅烧温度、反应pH 值、分散剂等对粉体粒子粒度及分散性的影响，考察了锑掺杂量、共沉淀条件、 煅烧温度等对粉体电阻率的影响。结果表明，制备的ATO粉体粒子分布均匀、 Q·cm。 平均粒度可小于300nm，粉体电阻率小于10 复合导电粉体，运用XRD、TEM、FTIR、XPS等手段对复合粒子进行了表征， 研究了SnCh·5I％O用量、锑掺杂量、包覆反应条件及煅烧温度等因素对粉体 电阻率的影响。实验结果表明，制备的复合粉体电阻率可低于50Q·cm。 3、以云母为基材，制备了Mica／Sb。SnI．x02复合导电粉体，重点研究了预处 理工艺、云母粉体粒度、分散方式等对粉体电阻率的影响。结果表明，复合粉体 电阻率可低于1000·cm。 其进行了表征，研究了磷掺杂量、反应pH值、煅烧温度等主要因素对粉体电阻 率的影响，并对PTO半导化的机理做了初步探讨。实验结果显示，磷掺杂使Sn02 半导化能力有限，因而PTO粉体电阻率较高；而PTO产生载流子归因于P5+取 代Sn02晶格中的Sn4+。 关键词二氧化锡导电粉体电阻率 上海市纳米专项基金(0352nm063)资助 三墨些塑茎!皇望型型墨垫查堑窒—————上望塑苎塑型苎墅!!!蔓 Abstract conductivewere a based dioxide by oftin prepared Inthis aseries powders paper andcharacterized of of techniques．Effect chemical byvariety coprecipitation of was and characters onelectrical other powder parameters resistivity processing detail． in studied and a ofSn preparedbycoprecipitation t证dioxide(ATO)was doped 1、Antimony of was materials．Struct