高纯金属有机化合物(MO源)研制新进展.pdfVIP

V 属，彳匕 于 ，焊 琊 维普资讯 ．16． ， 化 工 f 型 材 料 1992-~ 1o期 高纯金属有机化合物 (MO源) ， f 研制新进展 · ／6—2I 曾德辉 李刚 (化工部光明化工研究所) — 一 一 — _ ．-一 摘要 高纯金属有机化合物(MO)可作为六类高新材料的原材料。MOCVD(金属有机化学 汽相淀积)和CBE(化学分子束外延)工艺所需的MO源 (Source)和掺杂剂是其主要用途 之 。 国际上，美、德、英、法等国学者为提高MO (陶瓷)工业带来了一次技术革命，也使另一种 源质量，针对不同有害杂质及其含量采用了不 金属有机(醇盐)的研制呈现出全新局面。金属 同的提纯方法。根据有害杂质清除的程度 ，探求 有机化合物在高新技术领域 已可用作六类高新 与所制取的半导体 电学性能问的关系。为改善 材 料 的源 (Source)或 前 体 (Precursor)。用 MOCVD MOCVD 和 CBE 工 艺 制 备 GaAs／GaAs、 ． 工艺操作环境和工艺控制，正在研制 和试用有机砷、有机磷 以代替剧毒的AsH、 GaSb／GaSb、InGaSb／GaSb等化合物半导体薄 PH 气体；研制和试用新的有机铟以代替固态 膜材料，用Sol—Gel或CVD(化学汽相淀积)工 TMIn(三甲基铟)等 。 艺制备AIO 、SiO 、TiO 、BaTiO等亚微米级 国内化工部光明化工研究所及南京大学化 超细精细陶瓷粉末或薄膜材料 ，这两项是当今 学系已分别有8种和3种 MO源通过技术鉴定， 高纯金属有机化合物的重要用途。 纯度均达到5．ON(99．999 )，可供应市场需 本 文 重 点综 述 用 MOCVD 工 艺 制 备 求。 GaAs、GaSb等化合物半导体薄膜材料所需 MO源研制新进展。 一 暑I 专 、 、，I 口 二、高纯金甓育仉化合物 的用途 金属有机化合物的研制是当今最有发展前 7乏商品品种 途的高新技术之一。金属有机化 合物最吸引人 的特点是它的多样性，其种类几乎是无限的。 据美国CVDAlfa公司介绍。，高纯金属 金属有机化合物的开发，是作为化学反应 有机化合物的用途可归纳如下： 催化剂而开始的，迄今已有4O余年历史。1968 a．MOCVD、CBE工艺用外延源和掺杂源。 年，美国Rockwell公司的Manasevit采用高纯 如 TMIn(三 rI1基铟 )、TMGa(三 甲基镓 )、 金属有机化 合物为源 ，首次在绝缘衬底上用 TMSb(三q1基锑)、DEZn(二 乙基锌)、DMTe MOCVD工艺成功地制备出了 GaAs单晶薄 (--甲基碲)等。 膜，这一重大突破开辟了金属有机化合物应用 b．Sol—Gel或 CVD工艺制备超细高性能 的新领域。1971年 H·Dis|ich采用SolGel(溶胶 陶 瓷粉末或薄膜 的前体材料。如 TEOS(Si 一 凝胶)工艺，制备出直径达数厘米的硼硅酸盐 (OC2H )]、AI(O-iGH7)、Pb(O—iC3H 2等 。 (NazO-A!z0s一 0。一SiO：)玻璃片，不仅给玻璃 c．CVD工艺生长超导薄膜