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C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的第一性原理研究.pdf
V01.29 第29卷第4期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 No.4 0FATOMICANDMOLECULARPHYSICS 2012年8月 JOURNAL Aug.2012 doi:103969/j.issn.1000。0364.2012.04.022 C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的 第一性原理研究 2 , ’ 巩纪军h4,曾 敏 秦明辉 赵红波1’2,高兴森1 刘俊明 (1.华南师范大学先进材料研究所。物理与电信工程学院,广州510006I 2.华南师范大学物理与电信工程学院,广州510006i 3.南京大学固体微结构国家实验室,南京210093; 4.兰州理工大学理学院,兰州730050) 摘 要:本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对Zn0晶体在c轴取向压力作用下的晶体 结构、电子结构的变化进行了研究.结果表硬,当压力在o~6GPa区同时,晶格参数呈线牲变化,带隙随压 力增大而增大,显示弹性应变特征;当压力从6GPa增大到10GPa的过程中,晶体结构有了较大变化。出 structure).伴随 现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike 着这一结构相变,Zn0的晶格参数,能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变. 关键词:氧化锌;压力;电子结构;第一性原理 中图分类号:TN304.2文献标识码:A 文章编号:1000—0364(2012)04一0682一07 Structureandelectronic ofZnO under propertiescrystal C—axis first pressureby principIesstudy GONG Ji—Junl”,ZENGMinl,QINMing—Huil,ZHAOHon旷B01”, GAo Ju”Min93 xing-senl,匡垂亘垂王西墨固2,LIu (1.1nstituteforAdvancedMateriaIs。Sch00lof andTelecommunications, Physks SouthChinaNormal University,Guangzhou510006,China} of and ChinaNormal 2.SchoolPhysicsTelecommunications,SouthUniversitytGuangzhou510006,China} 3.LaboratoryofS01idState
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