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一种新型无源UHF RFID带隙基准电路.pdf
r.2013
2013年4月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Ap
第40卷第2期 JOURNALOFXIDIANUNIVERSITY Vol·40No·2
doi:10.3969/j.issn.1001—2400.2013.02.024
RFID带隙基准电路
一种新型无源UHF
杜永乾,庄奕琪,李小明,景 鑫,戴 力
710071)
(西安电if-科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安
摘要:设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用
BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与
栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC0.18肛m工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝
V,温度系
对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65肛W,最低工作电压为0.829
数为±63×10_6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片
中,其读取灵敏度为一16dBm.
关键词:超高频射频识别;低压;低功耗;亚阈值;带隙基准
中图分类号:TN202文献标识码:A 文章编号:1001—2400(2013)02—0148—05
forUHFRFID
New reference
typebandgap tag
DU Li
Xiaoming,JINGXin。DAl
Yongqian,ZHUANGYiqi.LI
ofEducationLab.ofWide SemiconductorMaterialsand
(Ministry Key Band—Gap
Devices,XidianUniv.,Xi’an710071,China)
Abstract:Anovel currentmode referencecircuitforthe UHF
bandgap passive
low—voltage.10w—power
RFIDis currentis ofthe currentis
tag generatedbyVBE BJTtransistor.The,”AT
presented.The,【,TAT
theMOSFETbiasedinthesub-threshold onthe thattheI-Vcurveofthe
generatedby region,basedtheory
sub-thresholdMOSFETshowsan
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