ht2770应用指导.docVIP

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ht2770应用指导

HT2770应用指导 基于 HT2770 的 5W 反激电源适配器方案 一.概要: HT2770采用原边控制技术,待机功耗不到100mW,内置了线损补偿,峰值电流补偿,使得在全电压范围内能提供精准的恒压和恒流模式,采用PFM控制,并且带有随机频率抖动功能,减小了系统的EMI。采用HT2770来设计系统,可以省去光耦,次级反馈控制电路,环路补偿,降低系统成本。 . · 内置前沿消隐. · 低启动电流. · 逐周期限流保护. · 原边反馈,PFM控制模式.      · 过压保护. · 内置线损补偿. · 开路保护. · 内置峰值电流补偿. · 欠压锁定. · 内置随机频率抖动. 三.芯片内部模块图: 图1: 内部结构图 四.应用电路图: 图2: HT2770应用电路 五.DEMO板实物图: 图3: 正面视图 图4: 反面视图 六.电路原理: 90V-265V 交流输入电压VIN 经保险F1 送入全桥整流电路D1~D4,后经л 型滤波电路C1,L1,C2,L2 输出120-375VDC。保险F1 的使用是为了防止大冲击电流损坏整流桥。 整流后的高压(120-375VDC)一端通过变压器的原边接高压功率管BJT Q1的集电极,另一端接芯片的GND脚。为了将高压功率管BJT的集电极峰值电压限制在其集电极-基极 Breakdown Voltage(13003此电压为700V)以下,D5、R3、C4、R10 构成一箝位电路,它可以将高压BJT在关断时集电极电压箝位在700V以下。 R1、R2为启动电阻,在系统刚上电的时候为C3电容充电,当此电容电压达到芯片启动电压芯片即可工作,输出开关方波驱动Q1。为降低芯片的启动损耗,在芯片启动以后由变压器的辅助绕组、D6、C3 构成的环路给芯片供电。 HT3770采用原边反馈技术,可以省掉次级反馈电路如431、光耦等器件。因为在Q1关断期间,变压的辅助绕组电压是与次级绕组输出电压成正比的,所以控制此时的辅助绕组电压就可以达到稳定输出电压的目的。R5、R7是分压电阻,将辅助绕组电压的变化送入芯片与内部基准比较,进而控制输出电压。 变压器的副边输出经D7 整流,C6、C7 滤波后得到5V输出电压。C8、R8是高频噪声抑制电路,有助于改善EMI特性。R9是假负载,防止系统空载电压过高。 C5是输出cable线损补偿电容,可以避免重载时线端电压过低。R4是峰值电流补偿电阻,用于保证整个输入电压范围内输出的恒流精度。 七.电气参数和BOM: 此适配器的主要电气参数如表 1,电路的元器件在成本和可靠性方面作了折中,元器件的数目已减到最低程度。表 2 是详细的材料表。 表一:电气参数表 输入电压范围 90VAC-264VAC 输出电压 5VDC±5% 输出电流 1.0A±5% 电源调整率 ±0.2% 恒流精度 ±5 % 输出纹波 ≤100mV 输出过压保护 有 输出过流保护 90V 1.07A / 264V 1.14A 短路保护 打嗝 待机功耗 0.12W 平均效率 ≥75.63% 表二:电源适配器 BOM 元件号 类型 型号 数量 封装 F1 Fuse 250V , 1A 1 直插 R1 碳膜电阻 2MΩ 5% 1 直插 R2 晶片电阻 2MΩ 5% 1 1206 R3 晶片电阻 200KΩ 5% 1 1206 R4 晶片电阻 2KΩ 5% 1 0805 R5 晶片电阻 27KΩ 1% 1 0805 R6 晶片电阻 1.3Ω 5% 1 1206 R7 晶片电阻 10KΩ 1% 1 0805 R8 晶片电阻 100Ω 5% 1 0805 R9 晶片电阻 2.4KΩ 5% 1 1206 R10 晶片电阻 150Ω 5% 1 1206 C1,C2 电解电容 4.7uF/400V 1 直插 C3 电解电容 6.8uF/50V 1 直插 C4 电瓷片电容 222/1KV 1 直插 C5 晶片电容 104/100V 1 0805 C6,C7 电解电容 470uF/10V 1 直插 C8 晶片电容 102/100V 1 0805 D1-D4 二极管 1N4007 4 直插 D5 二极管 FR107 1 贴片 D6 二极管 FR107 1 直插

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