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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)
第 23 卷第 10 期 半 导 体 学 报 Vol. 23 ,No. 10 2002 年 10 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Oct. , 2002 Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of SemiInsulating InP 1 2 3 3 1 Zhao Youwen , Luo Yilin , SFung , CDBeling and Lin Lanying ( ) 1 Materials Science Center , Institute of Semiconductors , The Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083, China ( ) 2 Department of Physics , Shantou University , Shantou 515000 , China ( ) 3 Department of Physics , The University of Hong Kong , Hong Kong , China Abstract : Properties of Fedoped semiinsulating ( SI) InP with different iron concentrations are studied by using Hall effect ,cur rentvoltage ( IV) ( ) ( ) IV characteristics of ,photoluminescence spectroscopy PL and photocurrent spectroscopy PC measurements. SI InP strongly depend on Fe doping concentration. Fe doping
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