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电子显微镜在栅光刻工艺中的应用
显徽、测量、徽细加工技木与设备 扫描电子显微镜在栅光刻工艺中的应用 李保第，刘福庆，付兴昌，张绵 (河北半导体研究所，石家庄050051) 摘要：阐述了扫描电子显微镜在解决栅光刻在线监测中遇到的1-3题和解决过程。在充分的理论分 析基础上，通过大量实验研究，克服了光刻胶在高能电子辐照下变形、变性的问题；削弱了光刻胶 样品表面荷电对图像质量的影响；在观测“T”型栅的胶窗口时采用特殊的工作条件获得了三层胶 的立体形貌图像，从而能够观察三层胶的内部结构。上述问题的解决和技术的改进实现了栅光刻工 艺的在线监测；并为栅光刻工艺的稳定和改进、产品成品率的提高提供了大量数据和图像。 关键词：扫描电子显微镜；栅光刻；二次电子；背散射电子；荷电 中图分类号：TNl6；TN305．7文献标识码：A of Electron in Scanning MicroscopeLithography Application LiBaodi。Liu Mian Fuqing，FuXingchang，Zhang (HebeiSemiconductorResearch 050051，China) Institute，Shijiazhuang Abstract：Theof electron insemiconductor problemsSEM(scanningmicroscope)application were andsolved．Onthebasicofthedetailtheoretical lithographyprocessdiscussed，analyzed irradiationonline of deformationcaused electron analysis，theproblemphotoresist byhigh during monitorof wasovercomeaninnovativemethod．Thisnewmethod gatelithographyprocess by surface onthe ofthe and obtainthethree eliminateschargeimpact quality pictureshelps dimensionalof under conditionwhen picturestriplelayerphotoresistspecialworking photoresist meetsthedemandofonlinemonitor windowisunderobservation．Theimprovement technology to and andofferssufficient anddata stabilize of microscopepictures gateprocess
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