p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究郑君.pdf

材料与器件 Materials and Devices 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 12. 002 p 沟VDMOS 的设计及抗辐照特性研究 1a 1a 2 1a 1a 1b ， ， ， ， ， 郑君 周伟松 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 (1. a. ;b. ， 100084 ; 清华大学 核能与新能源技术研究院 微电子学研究所 北京 2. ， 100 124 ) 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京 : Silvaco (Athena ) 摘要 借助半导体仿真工具 中所提供的工艺摸拟器 和器件摸拟器 (Atlas)， L-Edit ， － 90 V 、 － 4 V p 及 版图设计工具 设计了一款击穿电压高于 阈值电压为 的 沟 VDMOS 。 ， 200 m ， 5 S ， － 器件 经实际流片测试 器件的导通电阻小于 ! 跨导为 栅 源泄漏电流和 － ， － 1 V 。 2-D 零栅电压时的漏 源泄漏电流均在纳安量级水平 二极管正向压降约为 采用 器件仿 p VDMOS (SEB) 真方法以及相关物理模型对所设计的 沟 器件的单粒子烧毁 和单粒子栅击穿 (SEGR) ， -60 ， 效应进行了分析和研究 并通过对所获得的器件样片采用钴 射线源进行辐照实验 、 p VDMOS 研究了在一定剂量率 不同总剂量水平条件下辐照对所研制的 沟 器件相关电学参数的 影响情况。 :p VDMOS ; ; ; ; 关键词 沟 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移 中图分类号