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真空科学与技术学报 第26卷增刊 C卸心陋SE OFVACUUMSCmNCEAND7IECHN010GY 2006年9月 JOURNAL 氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素 马占洁1 陈光华1。 何斌1 刘国汉2朱秀红1张文理1 李志中1郜志华1宋雪梅1邓金祥1 ,1.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室北京100022;\ \2.兰州大学物理科学与工程学院兰州730000 / a-Si:HFilms LightDegradationSmbm锣of Ma Binl,LiuGuohan2,Zhu Wenlil, Zhanjiel,ChenGuanghual,He Xiuhon91,Zhang Li Xuemeil and Zhizhon91,GaoZhihual,Song DengJinxian91 Functional KeyLaboratoryofAdvancedMaterials,蚍University /1.The ofTechnology,&旃昭,100022,Ch/na;\ 、2.School Science , ofPhysicsand死矾∞如盯,LanzhouUniversity,LollgholA,730000,Ch/na AbstractVariousfactors for ofa-Si:H hotfdamentassistedmicrowaveelectron responsiblelightdegradationstability films.grownby resonancechemical CVD),were withFourierinfrared synchrotron vapordeposition(MWECRanalyzed spectroscopy(FrfR)andlightdegradation resultsshowthat mode8and affectthe ofa-Simaterial. curves.The content,H-Si movement hydrogen bonding hydration significm-,tlystability Wefoundthatthin ofSi ona-Sisubstrate the layer crystallinemicro-graingrown stability. considerablyimproves silicon movement,Micro Keywordsa-Si:H,Lightdegradationstability,Hydration 摘要用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰

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