AKT15K简介1.pptVIP

淀积各膜层的化学反应方程式 3L ：a-Si (SiH4,H2)：SiH4 + H2 → a-Si: H N+ a-Si (SiH4,H2 ,PH3 /H2)： SiH4 + H2 + PH3 → N+ a-Si: H PAS：SiNx (SiH4, NH3, N2)： SiH4 + NH3 + N2 → SiNx: H RPSC (remote plasma source clean) CVD沉积过程，除了衬底，薄膜也会覆盖在Chamber壁上。如果Chamber壁上的膜积累太厚，就会剥落形成尘屑。所以需要定期用NF3电浆对Chamber作clean处理： NF3 → N2 + F Si + F → SiF4（可以pump出腔体） 二.G5和G6 CVD设备差异性 三.AKT15K机台简介 AKT15K主机台主要包含五个部分： 1.DDSL(Double Dual Slot Load lock) 作用：为Substrate的进入降压和为已镀膜的 Substrate的输出降温 2.T/C(Transfer Chamber) 作用：形成真空环境，并用Vacuum Robot搬送Substrate。 3.P/C(Process Chamber) 作用：成膜的场所。 4.Gas Panel 作用：放置MFC(控制进入P/C的制程气体的流量)。 5.Mainframe Control Tower 作用：Mainframe Power的分配、DC Power的供给、Mainframe VME的控制 AKT15K 机台示意图 DDSL正面图 DDSL侧面图 DDSL内部构造 DDSL工作原理 送片时,ATM Robot将玻璃放到 Load lock的input plate上,这时cooling plate上升, Actuator将input plate上的Alignment顶起,固定住玻璃.然后cooling plate下降,回到原来位置. 取片时,T/C Robot将玻璃放到cooling plate的Lift pin上, 然后cooling plate上升,贴近玻璃表面,给玻璃降温,之后回到原来位置通入N2作用是VENT. Transfer Chamber Transfer Chamber内部 TC侦测破片系统 Process Chamber Process Chamber: CVD制程反应的腔室 主要由三部分构成： 1.Chamber Lid 2.Chamber Body 3.Chamber Base Process Chamber Chamber lid部分 Lid上器件的作用 RF match box：匹配RF generator的容抗和阻抗，使RF power有个纯电阻。 RPSC IV unit：Process chamber的自清洁装置，清除chamber内壁残留的膜，将NF3电离成离子形式，再和Si反应，生成气体排出。NF3 → N2 + F Si + F → SiF4（可以pump出腔体） Resistor manifold：制程气体流经此处进入chamber。 Chamber lid分解示意图 Backing plate Diffuser Chamber body 分解示意图 Susceptor Ceramic plate Vacuum valve Chamber base部分 Elevator Final Gas Valve Chamber body压力计 thanks * * AKT（PECVD） Equipment Introduction 目录 一.CVD 制程制程原理及主要参数 二.G5和G6 CVD设备差异 三.AKT15K机台简介 一.CVD 制程原理和主要参数 CVD ：Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积，CVD镀膜主要是用来进行介电质层镀膜以及钝化保护层镀膜。它是利用气态的源材料在晶圆表面产生化学反应的制程。 PECVD：Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，电浆增强化学气相沉积。 影响CVD成膜的主要参数: RF功率/薄膜沉积速率/衬底温度/压力/距离 5P 4P+1H 6P Chamber Dual arm Single arm Single arm Vacuum robot arm 1500*1850 1500*1800 1100*1300 Substrate type TS