第1章 电子元器件.ppt

图1一43内电场建立 返回 图1 -44内电场的影响 返回 图1 -45扩散和漂移运动的动态平衡 返回 图1 -46 PN结的单向导电性 返回 图1 -47平面型NPN三极管的结构 返回 图1 -48三极管内部电流分配关系 返回 图1 -49JT一1品体管图示仪面板示意图 返回 * 图1一14常见二极管的外形 返回 图1 -15二极管结构和电路符号示意 返回 图1 -16正向特性仿真测试电路 返回 图1一17R1参数设定 返回 图1一18灯泡参数设定 返回 表1一1逐点法测试数据 返回 图1 -19反向特性仿真测试电路 返回 表1一2调节电位器所测得的数据 返回 图1一20二极管的特性曲线 返回 图1一21 PN结的电客效应 返回 图1一22二极管极性标识 返回 图1一23指针式万用表检测二极管极性 返回 图1 -24数字式万用表粉测二极管极性 返回 图1 -25常见三极管的外形 返回 图1 -26三极管结构示意图和电路符号 返回 图1 -27三极管电流分配与放大作用仿真电路 返回 表1一3仿真测量结果 返回 图1 -28三极管特性曲线的测试原理电路 返回 图1一29共发射极输入特性曲线 返回 图1 -30典型的三极管输出特性曲线 返回 图1 -31输出特性曲线的三个区域 返回 图1 -32ICBO的测试电路 返回 图1一33 ICEO的测试电路 返回 图1 -34三极管安全工作区 返回 图1 -35用万用表测量三极管的等效电路 返回 图1 -36测试确定NPN型管子基极 返回 图1 -37判定三极管发射极和集电极 返回 图1一38本征半导体的晶体结构 返回 图 1 -39 本征激发 返回 图 1 -40 N型半导体的内部结构 返回 图1 -41 P型半导体的内部结构 返回 图1 -42子扩散运动 返回 1. 5 半导体三极管 在如图1 - 28所示的三极管特性曲线测试电路中，通过调节可变电阻Rwi，可以改变UBE，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都随之变化，采用逐点测试法测得输人特性曲线如图1一29所示。 2.共发射极输出特性曲线 输出特性曲线是在基极电流IB一定的情况下，集电极电流IC与集射电压UCE之间的函数关系曲线，用函数式表示为 在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以输出特性曲线是一组曲线。如图1一30所示是一个典型的三极管输出特性曲线。 三极管的输出特性曲线分为放大区、截止区和饱和区，如图1一31所示。 上一页 下一页 返回 1. 5 半导体三极管 1.5.4三极管的主要参数 三极管的参数表征三极管的性能和安全工作范围，主要如下所述。 1.共射极电流放大系数 前面已介绍了共发射极直流电流放大系数吞和共发射极交流电流放大系数启。尽管吞和启的含义是不同的，但两者数值较为接近，在实际工程中对二者不加严格区分，统称为三极管共发射极电流放大系数刀，它反映了共发射极电路的电流放大能力。 2.极间反向漏电流ICBD和UCED 实际上，三极管存在漏电流ICBD和UCED 。为发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流称为集电极反向饱和电流ICBD 。的测试电路如图1 - 32所示; UCED指基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的电流，称为集电极穿透电流， UCED的测试电路如图1 -33所示。 上一页 下一页 返回 1. 5 半导体三极管 3.集电极最大允许的电流ICM 当集电极电流IC超过一定值时，三极管的B值要下降。B值下降到规定值2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM 。因此，选管子时，应使参数留有裕量。 4.反向击穿电压 (1) U(BR)CED ，集一射反向击穿电压:它是指基极开路时加于集电极与发射极间允许的最大反向电压值。 (2) U(BR)CED ，集一基反向击穿电压:它是指发射极开路时，在集电结上的反向击穿电压。 (3) U(BR)CED ，指集电极开路时，发射极与基极间的反向击穿电压。普通晶体管的该电压值比较小，只有几伏。 上一页 下一页 返回 1. 5 半导体三极管 5.集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流流过集电结，使其消耗功率而发热， PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。集电结的损耗功率超过PCM 。时，管子性能将变坏甚至烧毁。在管子的输出特性曲线上，画出其对应的允许功率损耗线 (常数)，如图1一34所示。 PCM线的左侧为安全 区，右侧为过损耗区。 PCM与环境的温度有关，环境温度高时，会降低使用功率，通常用加散热器来降低管子的温度。 6.温度对参数的影响 (1)温度对UBE的影响。温度升高时，在IB相同的条件下， UBE将减小。 (2)温度对ICBD ，的影响。温度升高时， ICBD及ICED