第三章 存储器件.ppt

for(i=0;i200;i++) //数据写入 { Data = *P; Data1 = (uint16)Data; SST_Write(Addr,Data1); Data1 = (uint16)(Data16); SST_Write(Addr+2,Data1); P++; Addr+=4; } Addr = 0+ (Ssize * 5); JUMP(Addr); //程序跳转到第6号扇区运行 return(0); } 五、Nand-Flash存储器件 NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失性闪存技术。Nand-Flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。但Nand-Flash存储器需要特殊的接口来操作。二者以其各自的特点，在不同场合中发挥着各自的作用。 Nand-Flash存储器是Flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，现在得到了越来越广泛的应用。 由于 Nand-Flash（非线性 Flash）存储器内部结构不同于Nor-Flash（线性Flash）存储器。一般来讲，读写的过程要靠软件编程来完成。 1.1 K9F6408U0C介绍 K9F6408U0C是SAMSUNG公司生产的NAND型Flash存储器，存储容量为66Mb。 片内写控制逻辑自动实现所有的编程和擦除功能，包括脉冲的周期、内部校验和数据冗余。 K9F6408U0C的其他特性 存储空间组织 （8M+256K）byte 页寄存器 （512+16）byte 支持页编程；支持块擦除。 命令/地址/数据复用I/O口。 可靠性高：耐久力可经受100K次擦写，数据保存10年。 命令寄存器操作。 工作电压：2.7~3.6V。 采用唯一ID号保护版权。 48脚封装TSOP。 K9F6408U0C引脚描述 引脚 描述 引脚 描述 CLE 命令锁存使能 （高电平有效） RE 读使能 （低电平有效） ALE 地址锁存使能 （高电平有效） WE 写使能 （低电平有效） CE 芯片使能 （低电平有效） WP 写保护 （低电平有效） R/B 读/忙输出 该引脚输出反映器件的当前状态（该引脚为低电平表示某个写入、擦除或任意读操作正在进行，当操作完成之后该引脚自动回到高电平） I/O0 ～I/O7 数据输入/输出引脚 （复用端口，用来输入地址、指令和数据，并在读周期时输出数据的。当芯片未被选中或输出使能时，I/O口呈高阻状态） Vcc、Vss Vcc是电源正极，Vss是电源地 NC Not Connect 空脚 ALE 高 地址信息在WE的上升沿送入地址寄存器 CLE高 操作指令在WE的上升沿送入指令寄存器 ALE和CLE均为低 数据在WE的上升沿送入页寄存器 CE和WE均为低 数据输入 ⑴ K9F6408U0C内部结构 K9F6408U0C由1024块组成，每块由16页组成，每页中有512＋16个字节。K9F6408U0C的有效总容量为16K页，合计8M字节。这种结构，满足文件系统中划分簇和扇区的结构要求 。 K9F6408U0C有效地址空间为8M字节，那么片内必须提供23根地址线进行选址，其中A9～A22称为行地址，送入X译码器；A0～A8称为列地址，送入Y译码器中。 K9F6408U0C芯片的内部结构框图如图所示 ： ⑵ K9F6408U0C的内部指令 K9F6408U0C具备自己的操作指令。有一些指令只需要一个总线周期完成；另外一些指令，则需要2个周期。 K9F6408U0C具备的指令和功能如右图： 功能 第一个周期 第二个周期 页读方式1 00h/01h - 页读方式2 50h - 页写入 80h 10h 块擦除 60h D0h 读当前状态 70h - 读芯片ID号 90h - 复位 FFh - 回拷贝 00h 8Ah ⑶ K9F6408U0C的内部操作---读操作 2种读的方式： 页读方式1： 默认的页读方式，用于读取页寄存器的前半页、后半页或整个页（0~511）。 页读方式2： 用来读取备用区域（512~527） 通过将00h/01h指令写入指令寄存器，接着写入3字节地址来启动。 写入指令和地址后，处理器可以通过对信号线R/B的分析来判断该操作是否完成。 要读取的数据被送入了K9F6408U0C内部的页寄存器。外部控制器可以RE脉冲信号的控制下，从I/O口依次读出数据。 连续页读操作中，输出的数据是从指定的列地