第五章非平衡载流子_半导体物理.pdfVIP

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2015-09-09 发布于四川
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第五章非平衡载流子_半导体物理.pdf

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第五章非平衡载流子 1 在一个n 型锗样品中，过剩空穴浓度为1013 cm3 ，空穴的寿命为100us，计算空穴的复合率。 p 1013 17 2 [解]：U 10 / cm s 6 t 100 10 p 4. 有一块半导体材料的寿命是t 10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ [解]：t 10us ，t=20us 20 n(20us) n(0)e 10 n(0) 13.5% 因此，将衰减到原来的13.5% 7. 掺施主浓度 15 3 ND 10 cm 的 n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子 n p 1014 cm3 。试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级做比较。 15 3 14 3 [解]：对于n 型硅，ND 10 cm ，n p 10 cm ；假设室温，则杂质全部电离，n0 ND 1015 cm3 N N 1015 E E k T ln D E k T ln D E 0.026 ln E 0.289eV F C 0 i 0 i 10 i N n 1.5 10 C i 光注入非平衡载流子后， n E E n n0 n ni exp( i F ) k T 0 E P E p p 0 p p n i exp( F i ) k T 0 15 n n 1.1 10 因此，E E k T ln E 0.026ln E 0.291eV F i 0 i 10 i n 1.5 10 i 10 n 1.5 10 E p E k T ln i E 0.026 ln E 0.229eV F i 0 i 14 i p 10 可见：EF n