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GaN生长工艺流程实时监控系统.pdf
熏●羹曩j聊㈣叼矗c砌。锄 季 ：糕} GaN生长工艺流程实时监控系统’ 王三胜1，顾彪1，徐茵1，王知学1，杨大智： (1大连理工大学电气工程与应用电子技术系，辽宁大连116n24 2大连理工大学材料科学与工程系．辽宁大连116n24) 摘要：分析了在EcR—MocVD装置E外延生长GaN单晶溥膜的_[艺过程特点和在此过程中影响GaN 结晶质量的主要因素。在此基础上，设计了一套以80c3l单片机为核心的光电隔离电路和Pc机鲥成的两绂 系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种台适的工艺流程艏拄策略。 关键词：外延生长：GaN薄膜：实时监控；光电隔离 中图分类号：TN305文献标识码：A 文章编号：1003—353x(2002JOl—0065—05 Real—time of GaN mon“oringsystem growthprocess WANG Biao，XUYin，WANGZhi—xue，YANG San-sheng，GU Da．zhi E!ectric EiPdElectr。nic．Dn|innunlv Ddlinn lt．D。P1．。f EngineerlHg占App ofTPchnolugyl、6024．chlnn 2 unlv 1 D印t—M口地¨口lsc{Pn“’矗E”sinePHng．Doffnn酊丁echnDl口gy，Ddff“”16024，chJ月口) Abstract：The me characteristlcsof forGaN paperanalyzesprocess epitaxialgrow￡h single— films ECR·MOCVD themainfactorswhicheffectIhe crystaI devices，and GaN using crystallinequality the asetof ofPC and during Then，we epitaxialgrowth design monitoringsystemcomprisedcomputef in circuitsbasedon80C31 wasusedthe photoelectric microcomputef，which epi|axialgrowthprocess ofGaN w8 a of film．Also kindsuitable method proposed monitori“cess． film：real—time Kqwords：epitaxialgrowth’GaN monitoring：photoelectric·is01ation 为Ga源，用氮气通过EcR微波放电提供活化氨源．
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