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GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜.pdf
， SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol . 24 No . 1 February 2003 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 材料、结构及工艺 GaN 缓冲层上低温生长AlN 单晶薄膜 1 1 1 2 秦福文 ，顾 彪 ，徐 茵 ，杨大智 （ 大连理工大学 电气工程与应用电子技术系，辽宁大连 ； 1. 116024 2 . 大连理工大学 材料科学与工程系，辽宁大连 116024 ） 摘 要： 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ ）技术， ECR-PEMOCVD 在 （ ）（蓝宝石）衬底上，分别以高纯氮气（ ）和三甲基铝（ ）为氮源和铝源低温生长 -AI O 0001 N TMAI ! 2 3 2 氮化铝（ ）薄膜。利用反射高能电子衍射（ ）、原子力显微镜（ ）和 射线衍射（ ）等 AIN RHEED AFM X XRD 测量样品，研究了 缓冲层和氮化镓（ ）对六方 外延层质量的影响，实验表明在 缓冲 AIN GaN AIN GaN 层上能够低温生长出 轴取向的 单晶薄膜。 C AIN 关键词： ； ；氢等离子体清洗；氮化 AIN GaN 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） TN304 .053 A 1001 - 5868 2003 01 - 0032 - 05 Study on AlN Film Grown on GaN Buffer Layer at Low Temperature 1 1 1 2 ， ， ， OIN Fu-wen GU Biao XU Yin YANG Da-zhi （ ， ， ， ； 1. Department of Electrical Engineering and Applied Electronics Dal
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