DCJTB掺杂的荧光型白光有机电致发光器件.pdfVIP

第41 卷第 9 期 光电工程 Vol.41, No.9 2014 年 9 月 Opto-Electronic Engineering Sept, 2014 文章编号：1003-501X(2014)09-0075-06 DCJTB 掺杂的荧光型 白光有机电致发光器件 安 涛，杜小菊，袁 进，林 涛 ( 西安理工大学 电子工程系，西安 710048 ) 摘要：本文基于为 ITO/2-TNATA(20 nm)/NPB(30 nm) /BePP ：DCJTB(45 nm: X %)/Alq (30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm) 2 3 的白光器件结构(X 为 DCJTB 的掺杂浓度(质量分数)) 。采用真空热蒸镀的方法，在高精度膜厚测控仪的监控下分 别制备了发光层掺杂浓度为 1，1.5，2.0 ，2.5 ，3.0 不同器件，并对各器件性能进行了测试。实验结果表明：当DCJTB 的掺杂浓度为 2.0 %时，平衡了器件中电子和空穴的传输能力，使载流子复合形成激子的几率增加，既使载流子 的传输能力明显改善，并且有效地抑制了器件的荧光猝灭效应。在 12 V 电压下，可以获得发光亮度最高达到 9 868 cd/m2 ，发光效率大于7.2 cd/A ，且色坐标为(0.334 ，0.337)的较理想白光有机发光器件。 关键词：有机电致发光；荧光染料；DCJTB；发光层；发光亮度 中图分类号：TN383 文献标志码：A doi：10.3969/j.issn.1003-501X.2014.09.013 Fluorescent White Organic Light-emitting Diode Doped With DCJTB AN Tao ，DU Xiaoju ，YUAN Jin ，LIN Tao ( Department of Electronic Engineering, Xian University of Technology, Xian 710048, China ) Abstract: Based on the white device structure of ITO/2-TNATA(20 nm)/NPB(30 nm)/BePP2 :DCJTB(45 nm:X %)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm), where X was the doping concentration of DCJTB, we fabricated different devices and studied their performance whose doping concentration (X) were 1, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0 respectively, with high accuracy film thickness control instrument monitoring and vacuum thermal evaporation method. The results show that, when DCJTB doping concentration was 2.0 %, balance of transmission capacity of electron and hole in the device was achiev