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Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性.pdf
浙 江 大 学 学 报!工学版
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掺杂 薄膜的微结构及电学特性
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余 萍 !邱东江 !樊瑞新 !施红军 !吴惠桢
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浙江大学 物理学系$浙江 杭州 浙江大学 硅材料国家重点实验室$浙江 杭州
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浙江大学 信息与电子工程学系$浙江 杭州 #
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摘 要#用 # # # ’ ’ ’ #陶瓷靶材为原料$通过电子束反应蒸发生长了
.*O L,O B]X L,O ]=#=$ =?
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#EB $ H B $ H
非故意掺杂及 掺杂的 薄膜 采用 射线衍射’ 散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电
L, .*O = M a+G+*
学特性 结果表明$由 # # #的靶材生长得到的 掺杂 薄膜仍具有高度 轴取向的
= .*O L,O B0 =$ L, .*O %F
#EB $ H B
纤锌矿晶体结构$但随着薄膜中 掺入量的增加$其 轴取向性有所退化 光谱测量表明$ 掺杂 薄
L, %F a+G+* L, .*O
膜的本征内应力随着 掺入量的增加而增大$ # # 薄膜中 和 的原子个数比为 $此时
L, .*O L,O L, .* %eC!
=CD $ H =$
薄膜的内应力已接近饱和 掺杂 薄膜的电阻率随着 掺入量的增加呈现先减小后增大的特征$ #
L, .*O L, .*O =CD
# 薄膜具有最小的电阻率 E! ( #$这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度 $#
L,O
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