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2015-09-04 发布于湖北
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第31卷第3期原子与分子物理学报 V01．31No．3 0FATOMICANDMOLECULARPHYSICS 2014年6月 JOURNAL 0364．2014．03．021 doi：103969／j．issn．1000 2H—Pbl2晶体的电子结构和力学性质涂小强，朱簪巨，丁迎春，朱兴华 (成都信息工程学院光电技术学院。成都 610225) PbIz晶体的电子结构、力学摘要：采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)方法，计算了六角晶系2H 性质和硬度．采用局域密度近似(LDA)方法计算的晶格常数、带隙、弹性常数与实验值和理论值符合较好．计算表明。2HPbI。是一种直接带隙的半导体，带隙大约为2．38eV．运用复杂晶体硬度计算公式计算 GPa．还发现2HPbIz晶体的各向异性非常明显．了六角晶系2HPbI。晶体的硬度，硬度值大约为2．54 关键词：2HPbI。；电子结构；弹性常数；硬度 0364(2014 中图分类号：0641 文献标识码：文章编号：1000 andmechanical of Electronicstructure 2H—Pbl2 properties UTXiao Zan Hua Qiang，ZHUJu，DINGYingChun，ZHUXing of ofInformation 61022。，Chmaj UniVersity 7rechn0109y，Chengdu (D印artmentoptoelectr。nics，Chengdu and of2H Abstract：Theelectronicstructures，mechanicalstable，thermodynamicopticalpr。perties structurehavebeencalculatedmeansof wave withhexagonal by plane pseudo Thecalculatedvalues 10cal in with using densityapproximation(LDA)areg。odagreement 2H isa of1attice elasticConstants．Pbl2 resultsandthethe。reticalvalues constant，energygap(Eg)and calculatedfor2H band semiconductorwith