图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究.pdfVIP

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2015-09-04 发布于湖北
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图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究.pdf

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图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究.pdf

·研究与设计· 图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究刘飞，郭同叉，李力，李立方，甘海波，陈军，邓少芝，许宁生 (光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理科学与工程技术学院，广东广州510275) A MethodtoSelected-Area Low—Temperature Synthesis of OxideNanowireand Investigation Tungsten Arrays onTheirFieldEmission Properties LIU Fei，GUOTong-yi，LILi，LILi—fang，GANHal—bo， CHEN Shao-zhi，XU Jun，DENG Ning—sheng (State Materialsand Province KeyLaboratoryofOptoelectronic Technologi甜，GuangdongKeyLaboratoryofDisplay Materialand School and Yat-sen 510275，China) Technology，andofPhysicsEngineering，SunUniversity，Guangzhou forfieldemittersbecausetheirlow are attractive Abstract：W03一，(O≤工3)nanostructuresvery threshold ratioand current intheir are field，highaspect high densitycapacity．But intheir as neededfor applications，suchhigh—temperature manytechniqueproblemsexisting growing， mixed whichcause the of controlled usting catalysts，the phasesconexisting nonuniform．Byadj type of and nanowirehavebeen realizedatlow growth W02 W03 arrays firstly temperature micro-patterned to isfoundthattheturn—onfieldandthresholdfieldof nanowirear— (450600℃)．It micro—patte