谈原位合成MoSi2—30％SIC复合材料的高温蠕变行为(6页).pdfVIP

第 38卷 第 7期 仓 属 学 级 Vro1．38 NO．7 2002年 7月 731— 736页 ACTA METALLURGICA SINICA July2002 PP．731—736 原位合成MoSi2—30％SIC复合材料的高温蠕变行为 傅晓伟 杨王朗 张来启 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 利、祖庆 (北京科技大学新金属材料国家重点实验室，北京 100083) 朱 静 (清华大学材料科学与工程系，北京 100084) 摘 要 研究了含 30％SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与 SiC混粉热压材料 在 1200-- 1400℃的压缩蠕变行为．结果表明，在 60— 120MPa应力条件下，原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在 10一 S_|1量级或更低的水平．高于1300℃，原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2／SiC相 界面为纯粹的原子结合，无 siO2非晶相存在．蠕变机制为位错蠕变，MoSi2基体中的位错类型为 (110)与 (100)． 关键词 MoSi2／SiC复合材料，原位合成，蠕变，位错 中图法分类号 TB33，TB302．3 文献标识码 A 文章编号 0412-1961(2002)07—0731-06 H IGH TEM PERATURE CREEP BEHAVIoR oF Ⅳ S SYNTHESIZED M oSi2—30％SiC CoM PoSITE FU xtaowei．YANG w qngyue zHANG Laiqi SchoolofMaterialsScience＆Engineering，UniversityofScience＆TechnologyBeijing，Beijing100083 SUN zuqing TheStateKeyLaboratoryforAdvancedMetalsandMaterials，UniversityofScience＆ TechnologyBeijing，Beijing 100083 ZHU Jing DepartmentofMaterialsScience＆Engineering，TsinghuaUniversity，Beijing100084 Correspondent：sUNZuqingprofessor Tel：(010ax：(010 E—mail：zqsun@ustb．edu．cn SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChinaNoo4—02) M anuscriptreceived 2001—06—28．in revised ofrm 2002—02—05 ABSTRACT ThecompressivecreepbehaviorsofaninsitusynthesizedMoSi2--30％SiCcomposite andatraditionalPM MoS 一30％SiCcompositewereinvestigatedat1200-1400℃． Thecreeprates oftheinsitusynthesizedMoSi2--30％SiCcompositewereabout10一 S一 understressof60—120MPa， and significantly lowerthan thatmadeby PM method above 1300 ℃ ． Thereason wasthatthe interfacebetweeninsitusynthesi