掺K钨酸铅晶体的计算机模拟 Computer simulation of K-doping PbWO4 crystal.pdfVIP

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2015-09-01 发布于湖北
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上海理工大学学报第卷第期 (% % Y,74@KD?@A BW;G4;G@BDWF@4FG4I:F;4H XH,(% T,% () E J JE 文章编号：（） !#$%#’()%$’*$ 掺钨酸铅晶体的计算机模拟 ! 张飞武，张启仁，刘廷禹，陶琨（上海理工大学理学院，上海） (* 摘要：应用计算机模拟方法计算分析了掺杂离子的晶体，在不同杂质离子浓度下，离 - ./01 - ) 子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺 2 的吸收带减弱的原因计算结果表明，高浓度掺离子将 - 3./01 ’45 , - ) 消除)(45 吸收带，改善./01 晶体的抗辐照损伤性能, ) 关键词：；掺杂；计算机模拟； .01 678. 中图分类号：文献标识码： 1)+( 9 #$ ’()*+$,-’+#.#/!01#+. 3456 8)*’-, % % 2 7 9 ，，， !#$%’()*+ !#$%,()-’. /012(.)+ 2#56+. 34 （，，，） !##$$ ’()$*($+*),$-.)/ ’12*12)-’()$*($2*34$(1*# ’12*12)566678 !1)*2 % 0 % %0 % ： :4*’)-8’ :; ?@A@4?BA;@5 CD@A -@4@4A;FD?AGHGD?@5CHGAI/ F5 CADAF;4H ,:; = = E E E = JE ： FDD?4I@4 KGD@C?L@4I?BIBFA?@4A;- ./01 GDFGHFCHGAI,:;IBFAF;5@?AD G4IA; = J ) E IBFADGFA@4?M@A;A;I@BBD4A@5 CD@A F4F4ADGA@4I@4 .01 FD?AGHGD?ACI@I,:;D@@4 = E = J E J