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崔昊杨 等：基于有效介质理论的多孔硅有效介电函数模型 309 基于有效介质理论的多孔硅有效介电函数模型* ∗ 崔昊杨，李宏建，赵楚军，何英旋，彭景翠 （湖南大学应用物理系，湖南 长沙 410082 ） 了使实际观察到的ε [9] 摘 要：采用改进过的 Maxwell-Garnett 模型研究了 ei 一般为正值 。知道各个组分的 入射光波长和多孔硅的孔隙率对反射光谱和介电光 介电常数，可以根据各种模型计算多孔硅的有效介电 谱的影响，结果表明：（1）随着入射光波长的增大， 常数。 多孔硅的反射率先增大后减小，而随着孔隙率的增大 2.1 Maxwell-Garnett 模型 反射光谱出现了明显的下榻趋势，且孔隙率越大下榻 在这个模型是将薄膜中的孔洞考虑成包含在均 得越明显；（2 ）随着孔隙率的增加，多孔硅复介电光 匀系统中的扁长椭球体，设多孔硅的孔隙度为P ，硅 谱出现明显的蓝移现象，且多孔硅有效介电常数的实 固相填充部分为 ，则有 。考虑到实际情况 f p +f 1 部和虚部均变小。并对这种现象给出了较为合理的解 改进过的Maxwell-Garnett 模型表达式[10]为： 释。 ε −ε ε −ε ef 1 f 2 1 （1） 关键词：多孔硅；有效介质理论；介电光谱；反射光谱 3L ε +3(1−L )ε 3L (ε −ε ) +3ε z ef z 1 z 2 1 1 中图分类号：TN304 O472 文献标识码：A 其中： 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0309-03 （2 ） 1  1 1 + e  1 引 言 L z (e)  e 2 2 e ln 1 −e −1    2 1 / 2 