Bi取代NiCuZn铁氧体的显微结构和电磁性能.pdfVIP

工艺·技术·应用 Bi 取代 NiCuZn 铁氧体的显微结构和电磁性能 吴小虎，于翔海，徐 磊，贾利军，张怀武 （电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054 ） 摘 要：分别用固相反应法制备了 Bi 取代 NiCuZn 铁氧体材料和二次球磨掺杂相同含量 Bi O 的 NiCuZn 2 3 铁氧体材料，研究了在 900℃低温烧结下 Bi 取代和 Bi 掺杂对 NiCuZn 铁氧体材料的显微结构、电磁性能的影响。 结果表明，Bi3+取代 NiCuZn 铁氧体材料的起始磁导率为 152，Bi 掺杂 NiCuZn 铁氧体材料的起始磁导率为 148， 且 Bi 取代 NiCuZn 铁氧体材料的致密性和均匀性优于 Bi 掺杂铁氧体材料，同时拥有更低的磁心损耗。 关键词：NiCuZn 铁氧体材料；Bi 取代；显微结构；电磁性能 中图分类号：TM277+.1 文献标识码：B 文章编号：1001-3830(2012)01-0068-03 Microstructure and electromagnetic properties of Bi-substituted NiCuZn ferrites WU Xiao-hu, YU Xiang-hai, XU Lei, JIA Li-jun, ZHANG Huai-wu State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu 610054, China Abstract：Bi-substituted and same content Bi-doped NiCuZn ferrites were prepared by solid-state reaction method. The effect of Bi-substitution and Bi-doping on the microstuctures and electromagnetic propertied were investigated. The results showed that initial permeability of 152 and 148 was obtained for NiCuZn ferrite materials with Bi O substitution and Bi O doping, respectively. The Bi-substituted NiCuZn ferrite has better densification and 2 3 2 3 uniformity and lower core power loss than Bi O doped one. 2 3 Key words: NiCuZn ferrites; Bi-substitution; electromagnetic properties; microstructure 言，在低频高场下（f ≤50kHz）其传输功率因磁心饱 1 引言