5.基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究.pdfVIP

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2015-08-18 发布于重庆
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5.基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究.pdf

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5.基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究.pdf

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 1 (2012) 016106 N † ( , 610054 ) ( 2011 3 30 ; 2011 4 16 ) 0.35 µm (tox) N (n-channel metal oxide semiconductor, NMOS) , 2000 Gy(Si) . , 3 . tox 11 nm NMOS , 300 Gy(Si) 2000 Gy(Si) ; tox 26 nm NMOS , , 1000 Gy(Si) , . , tox NMOS , . , . : , , , PACS: 61.80.Ed, 73.40.Qv 1 (complementary metal oxide semiconductor, CMOS) , , . CMOS , , N (n- channel metal oxide semiconductor, NMOS) (total ionizing dose, TID) 1 NMOS (a) ; CMOS (b) ; (c) [1−4] . CMOS , (tox) , ( 1(b)) ( 1(c)) , , . () NMOS NMOS , TID [5−7] . , NMOS (: [9−12]. , ) CMOS TID , NMOS TID [7−10]. CMOS E-mail: xfan@ c 2012 Chinese Physical Society 016106-1 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 1 (2012) 016106 . 0.35 µm CMOS , VT , VG|gmax tox 11 nm (5 V ) , ID |gmax , 26 nm ( 15.5 V) gmax . , NMOS ,