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用电化学方法制备多孔硅.pdf
第 37 卷 第 9 期 天 津 大 学 学 报 Vol . 37 No . 9 2004 年 9 月 Journal of Tianj in University Sep . 2004 用电化学方法制备多孔硅 田 斌 , 胡 明 , 张之圣 (天津大学电子信息工程学院 ,天津 300072) 摘 要 : 为了深入了解多孔硅的特性 ,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层. 结果 发现 ,在本试验控制条件下 ,p + 掺杂的硅比n + 的容易腐蚀 ,而且孔的分布也比较均匀. 轮廓仪的分析表明 , 电化学 方法形成的多孔硅表面和内部结构比较规则 ,而且深度比较大 ,可在 M EM S 技术中得到广泛应用. 对试验中出现 的龟裂现象进行了分析 ,认为这是由于孔内液体挥发产生的毛细应力多孔硅氧化过程中因晶格膨胀和易位形成的 应力联合作用的结果. 关键词 : 多孔硅 ; 电化学方法 ; 形貌 ; 龟裂 中图分类号 : TN402 文献标志码 : A 文章编号 : 0493 2 137 (2004) 09 0823 04 Preparation of Porous Sil icon by Electrochemical Method T IAN Bin , HU Ming , ZHAN G Zhisheng ( School of Electronic Information Engineering , Tianjin University , Tianjin 300072 , China) Abstract : By using t he elect rochemical met hod ,porous silicon of different st ructures and morphologies was pre + pared in double cell ,in order to revealit s features. The result s have shown t hat t he p silicon can be corroded + + more easily t han n silicon , and t he dist ribution of t he pores on p silicon is more uniform . It s surface and in ner st ructure are also very uniform ,and a deep porous silicon layer can be reached easily . It can be used in M EMS technology widely . The cracking phenomenon occurred in t he experiment s was also studied . It is t hought to be t he ac
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