P型微晶硅薄膜材料的制备与优化.pdfVIP

薄膜硅 太 阳 电池及 材料 ’ 型微 晶硅薄膜材料 的制备与优化 许盛之 , 张晓丹 , 孙福 河 , 王 光红 , 岳强 , 魏长春 , 孙建 , 张德冲 胡增鑫 , 赵庚 , 耿新华 , 赵颖 申 开 电子 器 研 所 , 电 学教 重 室 , 光 电子 膜器 与 天津市重点 验室 , 南 大学光 薄膜 件与技术 究 光 信息技术科 育部 点实验 薄 件 技术 实 天津 , 侧 用 一 用 、 及 的 法 , 底 上 得 了 度 摘 要 利 技术 采 高氢稀释 执 残 掺杂 方 在玻璃衬 获 厚 为 , 电导 达到 , 电导 活 小于 , 曼 化 超过 的 层材料。 室工艺制 微 率 暗 激 能 拉 晶 率 单 备 , 晶硅单结 电池 中, 用 同样工艺条件沉积 厚的 层 , 获得 了效率达到 的电池 。 系列实验结果表明 硼 , 生 加 。 一 程 上 到 硼 , 的 随 烷浓度 的增加 材料 的 长速度增 薄膜的透过率在 定 度 受 有效 掺杂的影响 低 有效掺 杂 , 降低薄膜的透过率。 关键词 硼掺杂 微 晶硅 薄膜 引 言 一 硅 硅 阳电池 的 重要 的 用 。 型 硅 娜 层 可见 光 具 更 非晶 及微 晶 太 中 层都具有非常 作 微 晶 对 部分 有 低 的吸收 , 层及 界面对提高 型太 阳 电池 的开路 电压 以及短路 电流密度 的提高都有很重 要 的作用 。 在叠