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二氧化硅薄膜导热系数试验研究.pdf
第３５卷第３期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３５ Ｎｏ３ ２００５年５月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｍａｙ２００５ 二氧化硅薄膜导热系数试验研究 １ １ １ １ ２ １，３ 胡明雨 陈 震 杨决宽 庄 苹 朱 健 陈云飞 １ （东南大学机械工程系，南京２１００９６） ２ （中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京２１００９２） ３ （东南大学ＭＥＭＳ教育部重点实验室，南京２１００９６） 摘要：根据３ 方法测试原理，搭建了薄膜导热系数测试平台．在４０～１７０Ｋ温度范围内，测试等 ω 离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的ＳｉＯ 薄膜导热系数，同时测试了掺杂体态硅基 ２ 底的导热系数．测试结果表明：在这个温度范围内，ＳｉＯ 薄膜的导热系数随着温度升高而增大； ２ 杂质对体态硅的导热系数存在很大的影响．基于Ｃａｌｌａｗａｙ模型对体态硅导热系数测试结果进行 拟合得到的掺杂浓度与实际值吻合较好，表明３ 方法测试原理不仅可以用来测试纳米薄膜的 ω 热传导系数，还可用来测定体态硅基底的掺杂浓度． 关键词：ＳｉＯ 薄膜；３ 方法；导热系数 ２ ω ＋ 中图分类号：ＴＫ１２４；ＴＮ３０４．２１ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００１－０５０５（２００５）０３０３９６０４ ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｒｍａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｏｆＳｉＯ ｔｈｉｎｆｉｌｍ ２ １ １ １ １ ２ １，３ ＨｕＭｉｎｇｙｕ ＣｈｅｎＺｈｅｎ ＹａｎｇＪｕｅｋｕａｎ ＺｈｕａｎｇＰｉｎｇ ＺｈｕＪｉａｎ ＣｈｅｎＹｕｎｆｅｉ １ （ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｅｃｈａｎｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） ２ （Ｎｏ．５５ＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＣｈｉｎａＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＧｒｏｕｐＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９２，Ｃｈｉｎａ） ３ （ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓｏｆＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｎｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄｅｖｉｃｅｗａｓｓｅｔｕｐｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆ３ ｍｅｔｈｏｄ，ａｎｄｔｈｅｒｍａｌ ω ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓｏｆｄｏｐｅｄｂｕｌｋＳｉａｎｄＳｉＯ ｔｈｉｎｆｉｌｍｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｐｌａｓｍａｅｎｈａｎｃｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ
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