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V_2O_5复合薄膜材料的电子结构研究.pdf

 第 30 卷第 2 期 硅 酸 盐 学 报 Vol . 30 , No . 2  2 0 0 2 年 4 月 J OU RNAL OF THE CHIN ESE CERAM IC SOCIET Y Ap r i l , 2 0 0 2 V O 复合薄膜材料的电子结构研究 2 5 1 1 ,2 1 ,2 2 周  静 , 陈 文 , 徐  庆 , 闵新民 ( 1. 武汉理工大学材料科学与工程学院 , 武汉  430070 ; 2 . 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 , 武汉  430070) 摘  要 :采用自洽场离散变分 X 方法对纯 V O 及 V O 复合薄膜不同状态的O 及 V 轨道电子结合能和键强度等进行了研究. 结果表明, α 2 5 2 5 1s 2 p ( ) ( ) + V O 结构中存在 4 种状态的氧和 3 种状态的钒 , 聚合物 P EO 或聚合物 P EO —Li 嵌入 V O 结构主要存在于层间的位置 , 与双键氧产生 2 5 2 5 弱的键合作用 , 导致双键氧与五价钒的含量降低 , 三键氧与三价 、四价钒的含量增加 ;纯 V O 层间嵌入的Li + 与周围氧的共价键与静电力都 2 5 非常明显 , V O 层间引入 P EO 后再嵌入 Li + , Li + 与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱 , 说明 P EO 嵌入 V O 层间使 Li + 具有很好的 2 5 2 5 注入/ 脱出可逆性. 关键词 :五氧化二钒 ; 复合薄膜 ; 结合能; 键强度 ; 电子结构 ( ) 中图分类号 :O 64 1   文献标识码 :A   文章

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