IGBT逆变器吸收电路的研究.pdfVIP

《电力电子技术》1998 年第 3 期 　1998. 8 43 IGBT 逆变器吸收电路的研究 An Investigation to the Snubber Circuit of IGB T Inverter ( ) 西 南 交 通 大 学 　徐晓峰 　连级三 　 成都 　610031 ( ) 承德石油高等专科学校 　李风秀 　　　　　 承德 　067000 摘要 :在分析无吸收电路的 IGB T 逆变器的基础上 ,研究了 IGB T 逆变器的吸收问题 ;探讨了适合 IGB T 逆变器的几种吸收电路结构 ,并对其进行了仿真和实验验证。 Abstract :Based on the analysis of the snubberless IGB T inverter ,the paper investigates the snubbing pro belems in IGB T inverter and discusses several suitable snubber configurations. The results are varified by com puter simulations and experiments. 叙词 :逆变器/ 吸收电路 　绝缘栅双极型晶体管 Keywords :inverter;snubber circuit; IGBT 1 　前　言 二极管的反向恢复电流峰值与正向电流 i F 、正 在以 GTO 、GTR 为代表的自关断器件发 向电流下降速率 d i F/ d t 、结温及二极管承受的 展过程中 ,为减小吸收电路损耗 ,人们提出了多 反压有关。在设计上 ,应保证 IGB T 在结温为 种低损耗吸收电路 ,如 Undelland 吸收电路[1 ] 、 125 ℃、IGB T 开通及负载情况下 , 反向恢复电 Δ型吸收电路和 MaMurry 吸收电路[2 ] ,并成功 流的峰值不超出器件的 FBSOA 。 地用于 1000kVA 以上的 GTO 逆变器[3 ] 。随着 在 IGB T 关断过程中 ,因分布电感的作用 , IGB T 的出现及其广泛的应用 , 人们又对用 会使 IGB T 的集电极出现电压峰值 UCEP 。这 Undelland 吸收电路的 5kVA IGB T 逆变器进 一情况在短路关断时表现得最为严重 ,必须将 [4 ] Δ U 限制在 RBSOA 之内。例如 ,若最大直流 行了研究 。 型吸收电路也被成功地用于 CEP 800kVA 的三电平 IGB T 逆变器中[5 ] 。与 GTO 电压 UDC = 650V 时 ,模块端子的最大电压为 : 或 GTR 相比 , IGB T 的特性既有相似之处 , 又 d i Umod = UCE - L int = 1150V ( 1) 有不同之处 ,因此 ,对 IGB T 逆变器吸收电路的 d t 要求不同于 GTO 或 GTR 逆变器。 式中 　UCE ———器件最大集射极电压 , UCE