IGBT全自对准栅挖槽工艺研究.pdf

第 34 卷 　第 2 期 微电子学 Vol. 34 , №2 2004 年 4 月 Microelectronics Apr. 2004 ( ) 文章编号 2004 IGBT 全自对准栅挖槽工艺研究 1 1 2 袁寿财 , 汪李明 , 祝咏晨 ( 1 西安交通大学 　电子与信息工程学院 , 陕西 西安 　710049 ; 2 海南大学 　信息科学技术学院 , 海南 海口 　570228) 　 ( ) 摘　要 : 　设计了一种全自对准槽栅 IGBT 绝缘栅双极晶体管 结构 ,其工艺简单 ,全套工艺只有两 张光刻版 ,提高了工艺成品率。它独特的 IGBT 沟道多重短路结构 ,有效地防止了器件闩锁 ;采用氧 化层硬掩膜和硅化物工艺 ,实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接 ,增加了 IGBT 芯片单位面积 ( ) ( ) 的元胞密度和沟道宽度 ,提高了器件的电流能力 ;用砷 As 掺杂代替磷 P 掺杂 ,有效地提高了源 区表面浓度 ,实现了浅结工艺。 关键词 : 　功率器件 ; 绝缘栅双极晶体管 ; 槽栅 ; 全自对准工艺 ; 硅化物 中图分类号: 　TN405 文献标识码 : 　A 　 A Process Technology for Fully SelfAligned TrenchGate IGBT’s 1 1 2 YUAN Shoucai , WANGLiming , ZHU Yongchen ( ) 1 Xi ’an Jiaotong University , Xi ’an , Shaanxi 710049 ; 2 Hainan University , Haikou , Hainan 570228 , P R China 　 Abstract : 　A simplified process technology for fully selfaligned trenchgate IGBT’s ( Insulated Gate Bipolar Transistors) is de signed , in which only two masks are needed and no alignment is required between the two masks , thus eliminating the alignment error and increase the process yields A unique multichannel shortcircuit structure is de