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252kV四级污秽棒形支柱瓷绝缘子花釉缺陷原因分析及解决方法探讨.pdf
年第 期 总第 期
2008 1 ( 221 ) 电 瓷 避 雷 器 No.12008(Ser.№.221)
年 月 InsulatorsandSurgeArresters Feb.2008
2008 2
文章编号: ( )
1003-8337200801-0008-03
252kV四级污秽棒形支柱瓷绝缘子花釉
缺陷原因分析及解决方法探讨
桑建华 司志涛 张桂花 韩红英 曹怀章
, , , ,
中材高新材料股份有限公司 山东淄博
( , )
255031
摘 要 对比分析了干法生产的 四级和三级污秽棒形支柱瓷绝缘子的工艺特点 认
: 252kV ,
为四级污秽棒形支柱瓷绝缘子产生花釉缺陷的原因是 伞间距小 伞伸出大 施釉操作时坯体旋
: 、 ,
转 伞根部位暴露不完全 釉浆很难喷到伞根部位 在保证产品机械性能 电气性能和冷热性能
, , 。 、
的前提下,将大伞根厚度由22.67mm减小到 17.61mm,小伞根厚度 由20.07mm减小到 15.66
mm,大伞与小伞之间杆径直线距离增加2.64mm、小伞与大伞之间杆径直线距离增加2.69mm,
两伞之间距离由 增加为 爬电距离增加 用一组伞作为对比 杆径
67.76mm 70.11mm; ( )5.61mm;
未变化;伞间最小距离70.11mm;伞间距和伞伸出之比0.926;大小伞伸出之差 17.5mm;伞倾
角 实验证明伞形结构优化后 为施釉操作创造了条件 瓷检合格率明显提高 较好地解决
。 , , ,
17°
了花釉缺陷问题。
关键词 干法成形 四级污秽棒形瓷绝缘子 花釉缺陷 伞形结构优化
: ; ; ;
中图分类号:TM216 文献标识码:A
AnalysisonCausesofGlazeVariegatedDefecton252kVPostInsulator
of4-thClassPollutionSeverity
SHANGJian-hua,SIZhi-tao,ZHANGGui-hua,HANHong-ying,CAOHuai-zhang
(ZhongcaiHi-techMaterialCo.,Ltd.,Zibo255031,China)
:
Abstract Thetechnologicalfeaturesof252kVporcelainpostinsulatorofpollutionseverityclass
3and4werecompared.1Itisconsideredthatthecausesofformationofglassvariegateddefectare:
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