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CH1 本征半导体：纯净的、结构完整的半导体晶体，是制造半导体器件的基本材料。 载流子的情况、特点：温度一定时，载流子的产生和复合将达到动态平衡，此时载流子的浓度为一热平衡值，温度升高，本征激发产生的载流子数目将增加，但同时复合作用也增加，载流子的产生和复合将在新的更大的浓度值的基础上达到动态平衡本征激发中有_____________________导电能力很弱。 杂质半导体：在本征半导体中，掺入微量的杂质元素。（掺入极微量的五价元素，N型半导体；掺入极微量的三家元素，P型半导体） 载流子的情况、特点:杂质半导体的多姿浓度近似等于掺杂浓度值，而少子浓度反比于掺杂浓度，正比于______，当温度上升时，多子浓度几乎不变，而少子浓度迅速增大，少子浓度随温度的变化是影响半导体器件特性的主要因素 PN结:在P区和N区的交界处形成了一个空间电荷区，这个空间电荷区就是PN结。（又称耗尽层，阻挡层，势垒层） 动态平衡下的PN结，结区内正负离子的数量相等。 内建电位差：与杂质浓度，温度，材料有关。浓度越大，Vｄ愈大；温度升高，V d随温度的上升而减小，通常温度升高1°C，V d约减小2.5mv。 击穿：反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，这种现象称为PN结的反向击穿。（雪崩击穿，齐纳击穿，热击穿） 雪崩击穿：与电场强度、阻挡层宽度、掺杂浓度有关 击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数（》6） 齐纳击穿：与掺杂浓度，阻挡层宽度有关 击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数（《6） 二极管的电流特性方程_____________伏安特性曲线（如图一） 稳压二极管 PN结处于反向击穿状态时，通过的电流变化很大，而反偏断电压几乎不变，这一特性，被用来制作稳压二极管 三极管：分类（NPN、PNP）符号（如图二），各级电位大小_______________________电流方向和电流之间的相互关系_____________________________________________________ 场效应管 分类：金属绝缘栅半导体(增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管)、结型场效应管、金属半导体FET、异质FET 工作原理 增强型：3个级（栅极g、源极s、漏极d、衬底b） 开启电压：形成导电沟道的最小栅极电压用_____表示。栅极电压对漏极电流___有控制作用 CH2 放大器的直流通路（如图三）求静态工作点(共发射级)__________________________________________________ 利用图解分析法，结合共发射极放大器，理解Q点的高低对放大器与失真的影响：如果静态工作点的位置不合适，信号又比较大，将会产生严重的线性失真，静态工作点选的太低，产生截止失真，静态工作点选的太高，会产生饱和失真（怎样判断高低？？） ____________________________________________________ 交流通路与微变等效电路（如图四）通过共发射极放大器掌握微变等效电路，会计算各种发达指标，包括（各种A,R i，R o）__________________________________________________________________________________________________________ 线性失真：如果放大器的带宽不够，对输入信号中的各种频率成分的放大和相移不同，输出信号叠加后就会产生失真，这种失真成为频率失真和相位失真，是一种线性失真。 非线性失真：放大器输入单一频率的正弦信号时，用于曲线的非线性，输出信号中产生了输入信号中所没有的新的频率成分，这种失真称为非线性失真。（主要是由半导体器件中伏安特性曲线的非线性产生的，其次也与静态工作点的位置及输入信号大小有关） 三种组态放大器各自的特点(增益阻抗放大倍数)及应用场合 共基极放大器：_____________________________________________________ 应用：适用于等效负载电阻（ ）变化时，要求此电阻上得到的电流较稳定的场合，共基电路是较为理想的电流放大器，近似恒流源 共集电极放大电路：____________________________________________________ 应用：经常用作多级放大器的输入级，以减轻对前级电路的影响，适用于等效负载电阻（ ）变化时，要求负载上得到的输出电压较稳定的场合，是较为理想的电压放大器，近似恒压源输出。 共发射极放大电路：____________________________________________________ 得到广泛应用 多级放大