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MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管.pdf
第 期 电 子 学 报 8 VoI .29 No . 8 年 月 2001 8 ACTA ELECTRONICA SINICA August 2001 MILC 超薄沟道多晶硅薄膜晶体管 金仲和,王跃林 (浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州市玉泉 310027 ) 摘 要: 金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这 一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 采用超薄结构后,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到 . - 13 以下;开关比提高了近 倍达到 7 以上;场效应迁移率从普通结构晶体管的 2 ( )与 10 A/ m 100 3 X 10 80cm / Vs NMOS ! 2 ( )分别提高到 2 与 2 ;阈值及亚阈摆幅也有很大改善 文中还将金属诱导结晶与传统固 51cm / Vs PMOS 110cm / Vs 68cm / Vs . 相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较,并对这些结果进行了讨论. 关键词: 金属诱导结晶;多晶硅;薄膜晶体管 中图分类号: + 文献标识码: 文章编号: ( ) TN325 .2 A 0372-2112 2001 08-1068-04 MILC Thin Film Transistor with Ultra-Thin Channel , JIN Zhong-he WANG Yue-Iin ( , , , , ) Dept . of Inf ormation Electronic Engineering Zhej iang Uniuersity Hangzhou Zhej iang 310027 China Abstract : Thin fiIm transistors with different channeI thickness were fabricated with metaI induced IateraI crystaIIization ( ) ( ) MILC and conventionaI soIid-phase crystaIIization SPC . The performance of MILC devices is much better than that of SPC de-
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