02340自考浙江省2004年7月线性电子电路试题.docVIP

超越60自考网 浙江省2004年7月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每小题1分，共10分) 1.半导体是依靠__________和空穴两种载流子导电的。 2.PN结中的反向击穿现象按物理机制可分为__________和齐纳击穿两大类。 3.当晶体三极管工作在发射结加__________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向受控作用。 4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V，-4.7V，-2V，则该管类型是__________。 5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道__________后所对应的工作区。 6.MOS管分为__________种类型。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻_________的特点。 8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服_________的有害影响。 9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入__________负反馈。 10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分) 1. 杂质半导体中多数载流子浓度( )。 A. 与掺杂浓度和温度无关 B. 只与掺杂浓度有关 C. 只与温度有关 D. 与掺杂浓度和温度都有关 2. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD(on)都将发生变化，试选择正确答案。( )。 A. IS上升，VD(on)下降 B. IS上升，VD(on)上升 C. IS下降，VD(on)下降 D. IS下降，VD(on)上升 3. 随着温度的升高，晶体三极管的( )将变小。 A. β B. VBE(on) C. ICBO D. ICEO 4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应?( ) A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 击穿区 5. N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是( )。 A. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th) B. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th) C. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th) D. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th) 6. 以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上?( ) A. P沟道JFET管 B. N沟道DMOS管 C. N沟道EMOS管 D. P沟道EMOS管 7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择( )。 A. 共射放大 B. 共基放大 C.共集放大 D. 共源放大 8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了( )。 A. 提高Avd B. 提高Avc C. 提高KCMR D. 提高Rod 9. 交流负反馈是指( )。 A. 只存在于电容耦合电路中的负反馈 B. 交流通路中的负反馈 C. 放大正弦波信号时才有的负反馈 D. 变压器耦合电路中的负反馈 10. 负反馈放大电路中，若满足深度负反馈条件，则反馈信号和输入信号之间应满足( )。 A. fi B. f≈i C. fi D. f=1/i 11. 纯净半导体中加入+3价元素后，将形成( )。 A. 电子型半导体 B. 空穴型半导体 C. 杂质半导体 D. 本征半导体 12. PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是( )。 A. VBE0,VCB0 B. VBE0,VCB0 C. VBE0,VCB0 D. VBE0,VCB0 13. 若已知MOS场效应晶体管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V，VGSQ=-2V。则IDQ为( )