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霍尔效应的应用与发展.pdf
电气自动化
1
尔系数R=- 。
H
ne
霍尔效应被发现后,人们做了大
量的工作,逐渐利用这种物理现象制
霍尔效应的应用与发展 成霍尔元件。霍尔元件一般采用N型
锗 ( ),锑化铟 ( )和砷化铟
Ge InSb
Application and Development ofHallEffect
( )等半导体材料制成。锑化铟元
InA
件的霍尔输出电势较大,但受温度的
1 2
□□程姝丹 张强 , 影响也大;锗元件的输出电势小,受
中图分类号: 文献标识码:
TM930.1 A 温度影响小,线性度较好。因此,采用
文章编号: ( )
1001-6171200704-0078-05
砷化铟材料做霍尔元件受到普遍的
重视。霍尔器件是一种磁传感器。用
它们可以检测磁场及其变化,可在各
种与磁场有关的场合中使用。按照霍
尔器件的功能可将它们分为:霍尔线
性器件和霍尔开关器件。前者输出模
拟量,后者输出数字量。霍尔器件以
1 霍尔效应原理[2][4] 现电子以前,人们不知道导体中的载 霍尔效应为其工作基础。霍尔器件具
年霍尔 在实验中 流子是什么,不能从电子运动的角度 有许多优点,它们的结构牢固,体积
1879 (A.H.Hall)
发现:在均匀强磁场B中放入一块板 加以解释霍尔效应的物理现象,现在 小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗
状金属导体,并与磁场 方向垂直如 我们按电子学理论对霍尔效应做了 小,频率高(可达 ),耐震动,不
B 1MHz
图 ,在金属板中沿与磁场 垂直的 如下的解释:金属中的电流就是自由
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