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第 30卷  第 5期 发  光  学  报 Vo l30 No5 2009年 10 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCENCE Oct. , 2009 文章编号 : (2009) 不同主体材料对红色磷光 OL ED 器件性能的影响 李红燕 , 张玉祥 , 张宏科 , 何海晓 , 窦琪超 , 朱  晓 (西安瑞联电子材料有限责任公司 , 陕西 西安  7 10065) 摘要 : 制作了结构为 ITO /2TNA TA (20 nm ) /N PB ( 60 nm ) / Zn (B TZ) ∶Ir (DBQ ) ( acac) ( 80 nm ) /A lq ( 70 2 2 3 ) ( ) ( ) ( ( ) ) nm /L iF 1 nm /A l 200 nm 的红光器件 ,其中 2TNA TA 是 4 , 4 ′, 4 ″tris N 2 nap hthyl N p henylam ino tri ( ) ( ) ( ( phenylam ine,N PB 是 N , N ′di naph thalen1yl N , N ′diphenylbenzidine, Zn B TZ 2 是 B is 2 2 hydroxyphe nyl) benzoth iazole) zinc, Ir (DBQ ) ( acac) 是 iridium comp lex, A lq 是 tris ( 8hydroxyqu ino lato ) alum inum 。基于 2 3 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) Ir DBQ 2 acac 掺杂的 Zn B TZ 2 体系的器件给出最高 电致发光 EL 性能 。结果显示 : 10% Ir DBQ 2 ( acac) 掺杂 Zn (B TZ) 2 器件的亮度和效率分别为 25 000 cd /m2 和 12 cd /A ,其相应的 EL 峰位于 620 nm ,色坐 ( ) 标 x = 0. 63, y = 0. 37 。由于未使用激子阻挡层 ,所以, 比通常磷光器件的制作工艺简单并且操作过程容易 控制 。 关  键  词 : OL ED ; Zn (B TZ) 2 ; 掺杂 ; 发光效率 中图分类号 : TN 837. 3; TN 383. 1   PAC S: 78. 60. F i   PACC : 7860F   文献标识码 : A 剂 。在此基础上又有新的掺杂剂 DCJTB [ 6~8 ] (发 1 引  言

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