Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)AsGaAs应变单量子阱光致发光研究.pdfVIP

　第 20 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 20, . 7 V o l N o 　1999 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 1999 - 掺杂 0. 2 0. 8 应变 Si In Ga A s GaA s 单量子阱光致发光研究 窦红飞　陈效双　陆　卫　李志锋　沈学础 ( 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室　上海　200083) . , . G L i C Jagadish ( , , D epartm ent of E lectronic M aterials of Engineerings Research Schoo l of Physical Science and Engineering , , , 0200, ) Institute of A dvanced Studies A ustralian N ational U niversity Canberra A ct A ustralia 摘要　研究了单层 分别 掺杂于 单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒 Si In Ga A s GaA s 0. 2 0. 8 的光致发光谱, 并与未掺杂样品相比较, 发现掺杂样品的发光峰红移, 其中单边势垒掺杂样品红 移约 4 , 双边势垒掺杂样品红移的量更多约 12 . 本文用杂质散射与空穴空间局域化来 m eV m eV 解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多. 用有效质量方法计算 3 个样品的光致发光能 量, 并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象. : 7340 , 7855 PACC L 1　引言 大多数 掺杂工作都集中在晶格匹配的 的量子阱系统[ 1, 2 ] , 并在其基 Si GaA lA s GaA s [ 3 ]