模拟电子技术模拟试卷(5套).docVIP

模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。　　　 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。 A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。 1．分别指出V1、V2的电路组态； 2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路； 3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分) 四、图示运算放大电路中，已知u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分) 五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分) 　　　　　 六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12分) 1．它们是正反馈还是负反馈？ 2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？ 3．它们属于何种组态？ 4．各自的电压放大倍数大约是多少？ 七、电路如图所示。试回答： 1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？ 2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？ 3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分) 八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 μF。求：(8分) 1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？2．当电网电压在 ±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？ 二一、填空：(18分) 1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。 2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器。 3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___A。 4．文氏桥正弦波振荡器用 网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。 5．在信