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ZnO—A1203一Si02:Tb3+,Ce3+
发光材料的合成及其特性的研究
史延慧李彬冯守华+
(吉林大学材料科学系,+化学系,长春,130021)
摘耍本文采用溶胶一凝胶(sd—gel)法合成了催化剂的种类。我们根据以前的研究结果,用乙酸作
ZnO—AlzOrSi02:Tb”,Ce”稀土发光材料,并研究
了从溶胶~凝胶斗材料的转变过程。用荧光光谱探讨 溶胶转变成凝胶。
了ce抖在基质中的发光和ce抖的含量变化对发光的
3 2凝胶向晶体材料的转变
影响,以及Tb3+在基质中的发光和Tb蚪含量变化对
发光的影响,并确定了材料的最佳组成和最佳合成条 图1是不同温度下试样的XRD谱。在低温下,样
件。 品为非晶态,到800℃时,样品开始晶化,随温度升
关键词溶肢一凝胶法ce”发光Th”发光 高,结晶化程度不断提高,副1000℃时已经十分完
全。在发光体中存在两相,分别是ZnOAl。O.(立方晶
1引言
系)和ZnSiOa(三角晶系)。
溶胶一凝胶(sol—gel)法作为一种有前途的合成方
3.3最佳烧结温度和最佳组成
法,在各种材料合成方面,得到极其广泛的应用“q]。
但利用这种方法研制稀土发光材料,还是近十年内才
兴起的,在1987年E.M.RabinovieeHl等人首先采用
溶胶一凝胶法,在石英玻璃基底上,镀制了Y。SiOs:0.25m01)的变化曲线。由图可知,随着Tb抖浓度的增
Tb抖阴极射线发光薄膜。从那以后,有前溶胶一凝胶 大,5D4-?Fs的发光强度开始直线上升,当x0.10
法制备稀土发光材料的报道逐渐增多“叫】。利用此方 后,发光强度下降,发生浓度淬灭,因此,在此基质中
法合成的发光材料,具有许多独特的优点o]。我们在
以前工作的基础上,采用sol—gel法合成了ZnO—
AIzO。一Si02:Tb”,Ce”发光体,并对其合成过程、发
005mol时,发光强度最强。从而确定发光材料的最佳
光行为进行了研究。
2实验方法 005Ce抖。发光体的烧结温度与发光强度的关系见图
准确量取所需的硝酸盐溶液和Si(OCzHs).
度为1050℃。
(TEOS)。用乙醇将其调制成均匀溶液,反应使用乙
酸做催化剂,在65℃回流,由溶胶形成凝胶。凝胶在
110℃烘干,700(2预烧3h。研细混匀,再在指定温度
下烧结4h,将烧结成的发光体研细,取小于200目筛
粉为试样,进行各种测试。利用理学D/max一ⅡA型X
射线衍射仪,测试试样的XRD谱,用岛津RF一540型
荧光分光光度计,测定试样的发光光谱。
lO 20 40 60 70
20/o
3实验结果与分析
图1不同温度试样的SRD谱图
1 XRD at
3.1溶胶向凝胶的转变 Fig pattersdifferenttemperature
凝胶的形成主要涉及TEOS水解和缩聚两个过
栏,反应程厦主要依赖与用水量、温度、pH值、溶剂及
‘功能材料增刊,1998·10
图2
2
Fig
^,m
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