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电子显徽学报J.Chin.Electr.Microsc.Soc
17(5)543~5441998年 543
TiN/A1N纳米多层膜的调制结构研究
李戈扬1 施晓蓉1张流强2许俊华1李鹏兴1顾明元1
(1.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,2.中科院上海冶金研究所)
纳米多层膜具有多种物理性能和力学性能的异常效应,其中超模量、超硬度效应为近年来的
构并对其力学性能的变化给予解释。
TiN/AIN纳米多层膜采用反应溅射法在日本产ANELVASPC一350多靶磁控溅射仪上制
微镜。
两个对称的调制结构斑点,由此计算出多层膜的调制周期为1.99nm,与设计值相符。另外,此小
类型相同,错配度仅为2.9%(4nw一0.424nm,a。.A
存在穿过调制层的晶粒,但也发现部分区域存在穿过多个TiN和A1N调制层连续生长的晶粒
存在的结果一致。图3中还可观察到大量刃型位错,这些位错的存在可以释放多层膜外延生长的
畸变能。
制层上先以亚稳态的立方结构外延生长,逐步过渡到稳定的六方结构。TiN因为只有立方结构,
所以在h-AIN表面一开始就以立方结构生长,由此形成的大调制周期多层膜的调制结构模型存
在三种不同的界面类型:一是TiN/c—AIN的化学界面,在此界面两侧仅有化学成分的变化,而无
结构变化;二是c—A1N/h—AIN的结构界面t在此界面两侧,只有结构的变化,而不产生成分差异;
第三种界面为h-AIN/TiN之间的界面,在此界面两侧既有成分的变化,又有结构的改变。小调制
周期时,多层膜以立方结构多晶外延,连续穿过多层膜界面生长,此时多层膜界面只形成仅有成
分变化而无结构变化的化学界面。
力学性能研究表明TiN/AIN多层膜的显微硬度随调制周期的减小单调增高,不出现硬度
电子显微学报J.Chin.Electr.Microsc.Soc
544 17(5)l543~5441998年
度往往随其模量的提高而增加,所以TiN/AIN纳米多层膜硬度随调制周期减小而单调上升极
可能是由于c—A1N的强化所致。
参考文献
Aeta1.Surfaceand j 825.
[1]SetoyamaM.Nakayama CoatingsTechnology.1996,86/87
NEandGorcycaI,Phys.Rev.Bft1994.47}718.
[2]Christensen
图1 TiN/AIN纳米多层膜的电子衍射花样
a.A一2nm,b.A=12nm
图2TiN/AIN纳米多层膜的调制结构图3 TiN/AIN纳米多层膜的HREM像
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