电工xia第章半导体器件.pptVIP

《电子技术》的 学习要求及内容 参考资料 第14章 二极管和晶体管 §14.2 PN结及其单向导电性 结论 14.3 半导体二极管 （4）二极管的主要参数 P32 14.3.6 (P28 14.3.2 ) 作业： 五、稳压管的主要参数 习题：P 34 14.4.3 (P29 14.4.1) §14.5 半导体三极管 晶体管电流测量数据 例题 P30 14.5.1 P34 14.5.10 作业： 14.6 光电器件 14.6.2 光电二极管 14.6.3 光电晶体管 例题 P31 14.5.6 本章作业： (a) (b) 第十四章二极管和晶体管 ui E 时。D 导通。 uo=E ui E 时，D 截止 . uo=ui (c) (d) 第十四章二极管和晶体管 P32 14.3.5 (P28 14.3.1) 2) P32 14.3.6 (P28 14.3.2 ) §14.4 稳压二极管 一、稳压管的结构 是一种特殊的面接触的半导体硅二极管 二、常见的外形图 第十四章二极管和晶体管 §14.4 稳压二极管 IZmax + - 三、稳压二极管符号 U I UZ IZ 四、稳压二极管特性曲线 IZmin 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数 正向同二极管 稳定电流 稳定电压 DZ (zener diode) 第十四章二极管和晶体管 1、稳定电压值 UZ 稳压管正常工作时管子两端的电压 2、电压温度系数αU （20°） 3、动态电阻 rZ rZ=ΔUZ/ ΔIZ rZ 越小二极管的稳压性能越好 4、稳定电流IZ 5、最大允许耗散功率PZM PZM=UZ*IZM 第十四章二极管和晶体管 例：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 已知：稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ?, 试求uo=? 。若负载电阻变化范围为1.5 k? ~4 k? ，是否还能稳压？ 第十四章二极管和晶体管 RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA）; 所以：uo=10V RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 第十四章二极管和晶体管 例题P34 14.4.4 ( P29 14.4.2) 第十四章二极管和晶体管 第十四章二极管和晶体管 14.4.1 基本结构 常见晶体管的外形 第十四章二极管和晶体管 1、三极管原理图与分类 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 第十四章二极管和晶体管 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 2、三极管图形与符号 N P N C B E P N P C B E （2）符号 T （transistor 晶体管） （1）图形 第十四章二极管和晶体管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 第十四章二极管和晶体管 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 第十四章二极管和晶体管 14.4.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB 第十四章二极管和晶体管 B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC 2 IC IB 要使三极管能放大电流