硼掺杂对α—Fe2O3—K2O湿敏半导体陶瓷结构与性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第19卷第3期 无 锡 轻 I 太 学 学报 19．No3 2000年 5月 Journ~ ofW uxiUniversityofLightIndustry May．．2000 文章编号：1009—038X{2000】03—0255—05 硼掺杂对 —Fe203一K2O湿敏半导体陶瓷 一 7 结构与性能的影响 丁 J7q． T 1z83 莫茂松，阅立志 主银海。，汪云l，陈小萍，王弘， (1．无锝轻f 与 再 院．江苏无锝214036i2．无锝轻工大学计算科学与信息传 播系，江苏无锡 214036；3．中国科技大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026) 摘 要；用硬脂酸凝胶法I艺合成不同配比的q．Fezo3． o3复合氧化物超擞粉．竖液相烧结 法制得多孔陶瓷材料．采用XRD技求、Archimede排水法及压汞法等研究j材料物相、晶粒度及微 孔结构；电导洲试实验表明， 03掺杂相可能以非晶态均匀包覆在主晶相晶粒表面及晶界赴，K 被吸收包埋在8203非晶相中；湿敏特性测试结果表明．硼掺杂5％(摩尔分数)左右．全湿区内材 料担．湿特性 曲线线性关东良好，且感湿灵敏度较高、湿滞小，改变掺杂配比，可获得不同湿敏转变 中围分类号；TQ174．58；TM283 文献标识码；A EffectofB203·dopedontheStructureandHumidity——sensitive Propertiesof伍·Fe203-K2O·B203SemiconductingCeramics MOMac-song，QUELi．zhi，WANGYin-hai．WANGYun。，CHENXiao-ping，WANGHong3 (I．School。fChemicalandMaterlalEl1ginee血 ．WuxiUniversityof LightInd∞ ry．Wuxi214036=2．D~=trae．tof CompuattionScienceandInformationCommunication．W aziUnive~ity。fLightIndustry．Wuxi214036 ；3．Department ofMaterialsSdenceandEngineering，University。fSciea~andTechnology。fChina，Hefei230026) Abstract：Composite oxide powdersofa-Fezo3-·K2O-82O3were synthesized by stearic acid-gel method．andtheporousceramicmaterialsweredetainedbytheliquidphasecalcinationmethod．Effect ofB2o3-dopedonphasecomposition，grainsize．porosityandaverageporesizehadbeeninvestigated． Theresultsshowde thatdopingalittleamountof 03restrainedtheformationofKFe：lO17and O，acceleratedthegrowthofgrain．andchangde thedistlibutlonofporesize．There wasnoother newphaseproducedinB2O3一dopedd—Fezo3：K2O system．Theeonductanee-temperatureexperiment provedthatthereisa