1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟.pdfVIP

20¨aF-8月描 ，H咋EJ量■化—¨J-●俸甘韩、—悝l-件械t●忡■p珠—n文 量，『九l量■■■“‘-学木●愠 1．55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟+ 高俊华，李传波，毛容伟，左玉华，罗丽萍 (中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083) 摘要：本文利用传输矩阵方法计算了1．55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系。结果表明：合 理选择上下反射镜的反射率(R1，R2)，Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40％。通过对量子点材料进行长 方形近似，发现探测器的响应在很窄的波长同隔内呈双模分布，两峰分别来源于浸润层和量子点区。理论研究表明， Ge量子点RCE探测器的量子效率只与量子点的高度和占空比有关，而对量子点的均匀性要求不高。生长高度(height) 均匀和高占空比的多层量子点对于提高探测器的性能尤为重要。 关健词：RCB传输矩阵，Ge．／邕子点 PACC：2940P，0762．4250 中图分类号：TN305 of imGe dots Simulation1．55 quantum transfermatrixmethod photodetectorby Gao．Junhua,LiChuanbo，MeoRongwei．ZtmYuhua,，Luo Liping Beijing100083，People’sRepublicofChina) Abstract：The oftheGe dots issimulated performancequantumresonant-cavity-enhancedphotodetecorby matrix of more 40％if transfer method．The thedetectoris than the ofthe quantum efficiency reflectivity ale ofthe dots bottomand mirrors selected．The detector the top properly photoresponsequantum present double fromthe dotsandits results peaks，whichoriginate quantum wettinglayerrespectively．Simulation thatthe dotsisthe factorforthe detector． indicated ofthe highdensity key highperformance dots Keyword：RCE，transfermatrix，Ge，quantum 1引青 随着集成电路的发展，si器件工艺已获得惊人的成熟，si微电子芯片已经形成了巨大的产业规 模，加之地球上si材料的蕴藏极为丰富，si单晶片的价格已相当低廉。然而由于硅的间接带结构和 因品格对称性高而导致的微弱的非线性光学效应，使其在光电子应用方面受到了很大的限制。如今，